紅外干涉測量設(shè)備適用于可讓紅外線通過的材料

硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

平整度

厚度變化 (TTV)

溝槽深度

過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

粗糙度

薄膜厚度

環(huán)氧樹脂厚度

襯底翹曲度

晶圓凸點高度(bump height)

MEMS 薄膜測量

TSV 深度、側(cè)壁角度...

測量方式: 紅外干涉(非接觸式)

樣本尺寸:  50、75、100、200、300 mm

測量厚度: 30 — 780 μm (單探頭)

3 mm (雙探頭總厚度測量)

掃瞄方式: 半自動及全自動型號,

另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

襯底厚度測量: TTV、平均值、小值、大值、公差...

粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*

0.8 μm (1 sigma)雙探頭*

分辨率:   10 nm

設(shè)備尺寸:

413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)

413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 

重量: 500 lbs

電源 : 110V/220VAC      真空: 100 mm Hg

*樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)

** 150μm厚硅片（沒圖案、雙面拋光并沒有摻雜）