ICP-OES

美國熱電公司IRIS Intrepid II XSP 型ICP-OES，
主要技術(shù)指標(biāo)：

焦距：381 mm

波長范圍：165~1050 nm, (可測量Br, Cl, I元素)

分辨率：0.005nm在200 nm處

雜散光： < 0.3 ppm，10000 ppmCa 在As193.696 nm處

全波長自動(dòng)校正

晶體控制頻率：27.12 MHz

頻率穩(wěn)定性：0.004%

輸出功率: 750~1500 W連續(xù)可調(diào)。

功率穩(wěn)定性：0.01%

ICP 觀測方式：垂直炬

二手ICP-OES ，性能良好，維護(hù)處理，質(zhì)保期一個(gè)月