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·技術(shù)優(yōu)勢(shì)

中心傳感單元采用高精度硅技術(shù)，鉑金級(jí)精度 ±0.05%
雙過(guò)載保護(hù)膜片設(shè)計(jì)，單向過(guò)壓可達(dá)40MPa
優(yōu)異的靜壓性能，遠(yuǎn)非同場(chǎng)合電容式產(chǎn)品所能媲比，靜壓誤差可控制在±0.05%/10MPa以內(nèi)
100:1的量程比調(diào)節(jié)
EMC符合GB/T 18268.1-2008

·技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	最小
測(cè)量范圍（未遷移）	400Pa	4000kPa
量程比	10：1	100：1
環(huán)境溫度	-40℃	+85℃
溫度影響量	-20℃～65℃:±(0.075×TD+0.025)%×Span ±0.04%×Span(TD=1)/10℃ -40℃～-20℃ & 65℃～85℃:±(0.1×TD+0.025)%×Span
準(zhǔn)確度等級(jí)	±0.05% / ±0.1%
長(zhǎng)期漂移	±0.1%×Span/ 3年
組態(tài)屬性	線性/ 平方根/ 自由編程
重量	3.3kg
總線標(biāo)準(zhǔn)	4～20mA/HART

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305系列單晶硅表壓變送器

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