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TA HP TGA 75/750 臺(tái)式高壓 TGA

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產(chǎn)品簡介

兩種新型高壓熱重 (HP-TGA) 儀器,Discovery HP-TGA 75 和 HP-TGA 750。磁懸浮天平 (MSB) 技術(shù)領(lǐng)域的憑借 20 余年的豐富經(jīng)驗(yàn),開發(fā)出一款設(shè)計(jì)巧妙、操作簡便且擁有性能的頂部裝載微量天平。此外,Discovery HP-TGA 采用便利的臺(tái)式設(shè)計(jì),具有板載氣體定量給料和混合系統(tǒng),溫度控制可達(dá)到 1100 ?C,并且配有 One-Touc......

詳細(xì)介紹

特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)

  • 獲得*的頂部裝載磁懸浮天平可實(shí)現(xiàn)密封環(huán)境,能在高壓(高達(dá) 80 bar)和高溫(高達(dá) 1100 ?C)下的反應(yīng)氣體環(huán)境中進(jìn)行熱重測試
  • 的1 µg 天平分辨率可以通過快速反應(yīng)動(dòng)力學(xué)為小型樣品或材料提供最準(zhǔn)確的測量結(jié)果
  • 頂部裝載天平設(shè)計(jì)可確保在高溫高壓下具有的重量穩(wěn)定性,并且方便取放樣品以便于裝載/卸載
  • 集成的氣體定量給料和壓力控制裝置無需再使用單獨(dú)的系統(tǒng),而且外形緊湊,占用空間小
  • 高度準(zhǔn)確的天平溫度控制,可優(yōu)化基線穩(wěn)定性
  • 與爐內(nèi)反應(yīng)氣體接觸的非多孔隔離材料不會(huì)保留氣體(“記憶"效應(yīng)),并且能夠快速達(dá)到真空環(huán)境
  • 居里點(diǎn)校準(zhǔn),消除反應(yīng)氣體類型和壓力對測溫的影響
  • 高壓 TGA 采用緊湊型臺(tái)式設(shè)計(jì),限度減少占用寶貴的實(shí)驗(yàn)室空間,并且可安裝在通風(fēng)櫥中,便于在處理有毒氣體時(shí)輕松管理通風(fēng)
  • 即使在高壓下,加熱和冷卻速率也很高(約 250 K/min**),可減少潛在的意外副反應(yīng),并提高樣品吞吐量
  • 內(nèi)部容積小,支持快速更換氣體和快速加壓,減少氣體消耗,并且由于使用少量壓縮氣體,可確保安全的操作條件
*歐洲號:1958323,美國號:2009/0160279 Al,德國號:DE 10 2015 116 767.0
** 溫度 ≥ 300 ?C 時(shí),冷卻速率約為 250 K/min

每臺(tái) Discovery HP-TGA 的核心均為新型頂部裝載磁懸浮 (MagLev) 天平。結(jié)合多項(xiàng)獲得的技術(shù),打造出能夠在高溫高壓下運(yùn)行的高靈敏度緊湊型天平。

工作原理

在磁懸浮天平中,小直徑耐高壓鋼合金管裝有懸浮軸和坩堝裝置。雙重反亥姆霍茲線圈陣列、LVDT 電子傳感器線圈和四極磁鐵組件位于管的外部。反亥姆霍茲線圈產(chǎn)生非常均勻的電磁場,用于懸浮安裝在懸浮軸上的磁鐵。軸頂部的平臺(tái)支撐樣品坩堝。借助位于軸頂部和底部的獲得的 2D 磁鐵四極軸承環(huán),將懸浮軸置于管內(nèi)水平居中位置。通過反亥姆霍茲線圈與具有亞微米分辨率的 LVDT 位置傳感器(位于磁鐵下方的軸上)之間的控制反饋回路,磁鐵的垂直位置保持恒定。為了保持磁鐵的恒定位置,輸送到線圈的電流量與軸、磁鐵和坩堝的重量成正比。此重量通過天平皮重功能設(shè)置為零。當(dāng)樣品加入坩堝時(shí),保持天平位置所需的電流現(xiàn)在與樣品重量成正比。

在這種結(jié)構(gòu)中,小容量管內(nèi)包含的元器件密封并與外界隔絕。電磁線圈和其他敏感零件位于管的外部,并在正常大氣條件下工作,可通過耐壓管產(chǎn)生電磁懸浮力。只有小容量管內(nèi)的樣品坩堝和其他組件需要加壓,并且可接觸各種氣體或氣體混合物。將天平電子元件與反應(yīng)氣體環(huán)境分離,可以使用有毒可以使用有毒、腐蝕性和爆炸性反應(yīng)氣體環(huán)境,在真空到高壓范圍內(nèi)進(jìn)行 TGA 測量。

型號 樣品溫度 加熱/冷卻速率


 

壓力  稱重分辨率 質(zhì)量范圍 反應(yīng)氣體環(huán)境
HP-TGA 75 1100°C* 250°C/min


250 °C/min

(at T > 300°C)

80 bar 0.1µg 500 mg 純凈氣體(三選一)
HP-TGA 750 純凈氣體和氣體混合物(三種氣體)

 

* 采用 N2 和其他具有類似導(dǎo)熱性的反應(yīng)氣體獲得溫度

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