單硅晶體超純水設備主要作用是用于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物，這些雜質有的是以原子狀態(tài)、離子狀態(tài)、薄膜形式、顆粒形式存在與硅片的表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬鉻、銅、鐵、金等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電;顆粒污染源則包括有機膠體纖維、微生物、細菌、塵埃、硅渣等物質，這類物質都會在生產過程中造成不同程度的危害，所以現在的半導體器件生產、太陽能電池硅片、多晶硅、單晶硅的生產過程中都需要使用超純水進行沖洗，保證整體過程受到的危害降到最小。

滲源純水企業(yè)生產的單硅晶體超純水設備采用的是的科技，并搭配使用國際進口零部件，加上公司獨到的管理經驗理念，生產出滿足于單硅晶體行業(yè)應用的高質量超純水設備。

工藝流程：

原水箱→原水提升泵→石英砂過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過濾器→EDI系統(tǒng)→EDI水箱→拋光混床→用水點(≥18.2MΩ.CM)

設備性能：

1.預處理系統(tǒng)是采用目前技術的裝置，它的凈水。可以去除水中的的細菌、泥沙、膠體、懸浮物、異味等雜質。如果水中的硬度較高時，則還會降低水中的硬度。

2.反滲透技術主要由高壓泵、膜克、還有進口反滲透膜的組件、儀表、控制電氣等組成。使其水中的電導率下降，電阻率提升。

3.后處理部分是對反滲透制取的純水做更進一步的深化處理。使其出水的電阻率可以到18.2兆歐，從而使生產出來的水達到的晶片清洗標準。

4.超純水設備的脫鹽核心部件為進口的反滲透膜組件，超純水設備一般都是有預處理裝置、反滲透技術、后處理由拋光混床、EDI系統(tǒng)部分共同組成，使其凈水的。

經過這幾部分處理之后的水能夠滿足于單晶硅清洗用超純水用水要求，部分生產企業(yè)要求水中不能含有微生物、真菌等，所以會在后面加裝紫外燈殺菌裝置來確保水質達到生產所需。