污染因子

錳

鎳

鈷

KOH

K2SO4

污染濃度（mg/L）

200

2

2

720

25800

用水執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

《中國(guó)國(guó)家電子級(jí)超純水規(guī)格》（GB/T11446·1-1997）

電阻率（25℃）

≥18.2兆歐

硅

≤2μg/L

銅

≤0.2μg/L

鋅

≤0.2μg/L

鎳

≤0.1μg/L

鈉

≤0.5μg/L

鉀

≤0.5μg/L

氯

≤1μg/L

＞1μm顆粒

≤0.1個(gè)/ml

細(xì)菌檢測(cè)

≤0.01個(gè)/ml

硝酸根

≤1μg/L

磷酸根

≤1μg/L

硫酸根

≤1μg/L

TOC（總有機(jī)碳）

≤20μg/L

排水執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

《污水綜合標(biāo)準(zhǔn)》（GB8978-1996）表1及表4一級(jí)

總鎳

≤1.0mg/L

PH

6~9

CODCr

≤100mg/L

BOD5

≤20mg/L

SS（懸浮物）

≤70mg/L

總錳

≤2.0mg/L

超純水制備工藝

離子交換方式

兩級(jí)反滲透方式

電去離子技術(shù)

工藝流程

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透→PH調(diào)節(jié)→中間水箱→第二級(jí)反滲透（反滲透膜表面帶正電荷）→純化水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)

原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透機(jī)→中間水箱→中間水泵→EDI系統(tǒng)→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)

1、初投資少
2、占地面積少

1、無(wú)須樹(shù)脂再生

1、不需要酸堿再生
2、可連續(xù)性產(chǎn)水
3、運(yùn)行費(fèi)用低

缺點(diǎn)

1、離子再生頻率高
2、酸堿消耗大
3、對(duì)環(huán)境有破壞性

1、投資比采用離子交換樹(shù)脂方式搞
2、膜元件需定期清洗更換
3、水質(zhì)大都只能做到電導(dǎo)率1us/cm

1、初投資高