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北京普瑞億科科技有限公司>>>>Hprobe 晶圓級測試儀

Hprobe 晶圓級測試儀

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更新時間:2023-01-26 10:06:57瀏覽次數(shù):575

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產(chǎn)品簡介

Hprobe測試儀是磁場下晶圓級表征及測試的工具

詳細(xì)介紹

       Hprobe 測試儀是磁場下晶圓級表征及測試的工具。它采用自主研發(fā)的3D磁場發(fā)生器和*的、可定制的、商業(yè)化硬件,為傳感器到MRAM等磁性器件,提供完整的測試解決方案,該工具符合晶圓自動化測試的標(biāo)準(zhǔn)。


主要特點(diǎn)

  • 大范圍面內(nèi)和垂直場
  • 磁場三維可控
  • 旋轉(zhuǎn)磁場
  • 嵌入式傳感器校準(zhǔn) ( Hall 傳感器 )
  • 自動化測試程序
  • MRAM 參數(shù)提取軟件
  • 100mm~300mm 晶圓可測
  • 兼容標(biāo)準(zhǔn)探針卡


技術(shù)說明

  磁性3D發(fā)生器
       Hprobe 測試儀采用自主研發(fā)的3D磁場發(fā)生器,其中每個磁場的空間軸都是獨(dú)立驅(qū)動。通過控制3個軸的磁場,用戶可實(shí)現(xiàn)任意方向磁場,同時 也可產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場。發(fā)生器提供所有的控制儀器、控制程序和校準(zhǔn)工具。
       3D磁性發(fā)生器位于探測器上,在晶圓上生成局部磁場,探針位于磁場發(fā)生器與晶圓之間。發(fā) 生器和探測器卡盤之間的標(biāo)準(zhǔn)z軸間距為 1mm,500µm 到 5mm 內(nèi)可調(diào)。

  校準(zhǔn)
       測試儀并沒有為所有可能的磁性配置提供詳盡的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)表。但用戶能夠自定義額外定制磁場類型,校準(zhǔn)相應(yīng)的線圈電流以產(chǎn)生需要的場類型。
       校準(zhǔn)包括:
       § 將理論磁場應(yīng)用于待測器件
       § 沿三軸測量感興趣區(qū)域內(nèi)的磁場測量數(shù)據(jù)用于補(bǔ)償和調(diào)整在晶圓測試期間施加的磁場。
       校準(zhǔn)測量用嵌入在探測器內(nèi)的3D霍爾傳感器完成。

  3D 校準(zhǔn)傳感器特征
       § 角精度高
       § 靈敏度5V /特斯拉
       § 測量范圍2特斯拉
       § 差分輸出
       § 溫度靈敏度:<100 ppm/°
       § 在探頭上集成溫度傳感器用于溫度補(bǔ)償

  晶圓探測器
       Hprobe 測試儀是由工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓探測器構(gòu)成,囊括100mm手動探測器至300mm全自動,適于生產(chǎn)的探測器。探測器通常包括:
       § 溫控卡盤(熱/冷)
       § 探針卡定位可視化操作
       § 晶圓裝填器
       § 單一晶圓承載器
       § 嵌入式校準(zhǔn)傳感器
       § 破碎晶圓承載器(可選)

       其他特定的HW/SW探針選項(xiàng)可根據(jù)客戶要求 定制。
       探測器控制是通過我們的測試程序驅(qū)動的,針對探測器功能提供的用戶訪問權(quán)限。

  儀器
       Hprobe測試儀提供全套儀器來驅(qū)動和測量大多數(shù)磁性器件,比如 MRAM(STT,SOT,電壓控制),傳感器(AMR,GMR,TMR)和磁性MEMS。
       預(yù)定義的儀器包括批量生產(chǎn)的源表(SMU),數(shù)字萬用表(DMM),任意波形發(fā)生器(AWG)和脈沖發(fā)生器。其他儀器可根據(jù)要求提供,并且可以輕松地集成在該工具的硬件和軟件中。

       源測量單元 (S M U )
       § 最小測量范圍 20mV
       § 最小量程 1nA
       § > 3,000 讀數(shù)/秒
       § 白噪聲 2mV rms

       數(shù)字萬用表( DM M )
       § 18位,最小測量范圍 100mV
       § 分辨率 10nV
       § 最小記錄時間 1µs

       任意波形發(fā)生器( AW G )
       § 雙通道,帶寬 40MHz
       § 正弦波,方波與脈沖高達(dá) 30MHz
       § 斜率 & 三角波達(dá) 200kHz
       § 每個通道的任意波形 < 1Msample
       § 采樣率 250Msample/秒

       脈沖發(fā)生器
       § 最小脈沖寬度 300 ps
       § 脈寬精度 10 ps
       § 上升/下降時間 < 70 ps (20%-80%)
       § 輸出幅度 10 mVpp~5 Vpp
       § 重復(fù)率 500 MHz/每通 道
       § 觸發(fā)到輸出晃動 < 35ps RMS

       探針
       Hprobe測試儀易拓展,用戶可使用工業(yè)用探針,也可以使用裝有DC和RF探針的顯微操縱器。的限制是磁場發(fā)生器和晶片之間的間隔在高磁場下必須保持盡可能的(<1mm)。

       測試程序
       測試程序包括用于滿足用戶需求的所有功能,從材料表征到產(chǎn)品開發(fā),到生產(chǎn)轉(zhuǎn)化。它以三種模式運(yùn)行:
       § 校準(zhǔn) - 設(shè)置磁場的配置和創(chuàng)建用戶定義模式 (見下圖)
       § 工程 - 運(yùn)行預(yù)先實(shí)施的測試模式或創(chuàng)建并運(yùn)行完整的自定義特性描述和測試程序。
       § 生產(chǎn) - 從工程模式中利用優(yōu)化時間來設(shè)置測試程序。

       預(yù)先實(shí)施的測試模式包括(有或者無磁場):
       § 開放/短期測試
       § 交流/直流 電流-電壓,R-V 測試
       § 交流/直流擊穿電壓測試
       § 讀/寫脈沖測試
       § 隧道磁阻
       § 誤碼率
       § 器件循環(huán)測試
       § (I,V,H)相圖

生產(chǎn)廠家:法國 Hprobe

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