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GaN半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、電子遷移率高、電子飽和速度大、擊穿電場高等優(yōu)點，基于GaN材料的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)成為了微波功率器件及電路領(lǐng)域的研究熱點。

尤其是近年來，在 5G 和電力電子等下一代通信應(yīng)用中，基于氮化鎵的射頻器件和功率器件發(fā)展十分迅猛，但在通信領(lǐng)域，GaN 放大器市場將在 2020 年迎來爆發(fā)，有咨詢公司預(yù)測，光是基站端 GaN 放大器市場規(guī)模達(dá) 32.7 億元，與2019相比增長率為 340.8%。

若干年來，國內(nèi)的很多大學(xué)和研究所都在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行各種深入的研究。例如，GaN 器件建模就是一個非?；钴S的研究領(lǐng)域。多年來，包括建模方法在內(nèi)的各種緊湊型建模解決方案已陸續(xù)被提出。

坎普爾印度理工學(xué)院，采用是德科技的軟件工具和一系列的對器件進(jìn)行精準(zhǔn)參數(shù)測試的方案，經(jīng)過多年的不懈努力，終于開發(fā)出個基于GaN的HEMT的高級SPICE模型，該模型不僅擁有適當(dāng)?shù)木o湊度，還可以實現(xiàn)的精確度和最少的仿真時間。

在此基礎(chǔ)上，該研究團(tuán)隊還開發(fā)出了以下模型：
非線性訪問區(qū)域電阻模型
遷移率降低模型
噪音模型
門泄露模型
其它一些模型

那么印度理工學(xué)院采用了是德科技的哪些方案組合呢？主要包含以下三個方面：

- B1500系列的IV/CV參數(shù)分析儀和B1505 IV/CV大功率分析儀



B1500A 提供極其豐富的測量功能，支持器件、材料、半導(dǎo)體、有源/無源器件甚至幾乎所有其他類型電子器件的電氣表征和測試，并且具有的測量可靠性和測量效率。B1505A擁有廣泛的器件測試功能，其高電壓/強(qiáng)電流快速切換選件，適用于 GaN 電流崩塌效應(yīng)表征。
 

- 具有負(fù)載牽引系統(tǒng)的PNA-X系列矢量網(wǎng)絡(luò)分析方案



PNA-X 系列是業(yè)界和最靈活的網(wǎng)絡(luò)分析儀，通過單次連接便可在一臺儀器中完成幾乎所有的線性和非線性參數(shù)的測試?；谪?fù)載牽引的測試方案廣泛用于器件建模和放大器性能測試等方面。
 

- 是德科技PathWave 建模(原來的IC-CAP)和ADS系統(tǒng)仿真軟件
 


IC-CAP為用于 GaN器件建模的 2 個物理學(xué)模型(即 UC Berkeley 與 ITT Kanpur 共同開發(fā)的 ASM-HEMT 模型，以及MIT 開發(fā)的 MVSG 模型)提供了全新的提取流程。緊湊模型聯(lián)盟(CMC)已批準(zhǔn)這兩種模型成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

它們可以為氮化鎵工藝開發(fā)人員帶來更廣闊的分析視野。例如，工藝工程師可以了解到增加遷移率或降低接觸電阻對提高整體功率放大器效率的好處。

兩種模型都考慮了電熱和載流子陷阱效應(yīng)，以及其他嚴(yán)重影響非線性射頻特性的重要效應(yīng)，例如接入?yún)^(qū)、速度飽和、場板和漏致勢壘降低(DIBL)效應(yīng)。


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