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分光干涉式晶圓膜厚儀 SF-3

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更新時(shí)間：2024-10-15 08:03:14瀏覽次數(shù)：252次

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大塚電子（蘇州）有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

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產(chǎn)品簡介

即時(shí)檢測 WAFER基板于研磨制程中的膜厚玻璃基板于減薄制程中的厚度變化 (強(qiáng)酸環(huán)境中) 產(chǎn)品特色非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測再現(xiàn)性可進(jìn)行高速...

詳細(xì)介紹

動畫

即時(shí)檢測

WAFER基板于研磨制程中的膜厚

玻璃基板(強(qiáng)酸環(huán)境中)于減薄制程中的厚度變化

產(chǎn)品特色

●非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測
●采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測再現(xiàn)性
●可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測
●可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測
●可對應(yīng)長工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線或者設(shè)備中
●體積小、省空間、設(shè)備安裝簡易
●可對應(yīng)線上檢測的外部信號觸發(fā)需求
●采用膜厚檢測的獨(dú)自解析演算法。(已取得)
●可自動進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目)

規(guī)格式樣

	SF-3
膜厚測量范圍	0.1 μm ~ 1600 μm※1
膜厚精度	±0.1% 以下
重復(fù)精度	0.001% 以下
測量時(shí)間	10msec 以下
測量光源	半導(dǎo)體光源
測量口徑	Φ27μm※2
WD	3 mm ~ 200 mm
測量時(shí)間	10msec 以下