晶間腐蝕：是在金屬界處發(fā)生局部腐蝕的現(xiàn)象。就電化學(xué)的觀點(diǎn)來(lái)看， 由于材料的晶粒為陰極，而晶界一般為陽(yáng)極，因此在均勻腐蝕的情況下，晶界處的腐蝕性仍稍大于晶粒處，如果在特殊情況下，材料的晶界抗蝕元素又相對(duì)減少，晶間腐蝕的現(xiàn)象就會(huì)發(fā)生。AL-CU-MG、AL-ZN-MG系鋁合金有晶間腐蝕的傾向。

鋁的化學(xué)腐蝕是金屬在干燥氣體（如氧、氯、硫化氫等）和非電解質(zhì)溶液中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的結(jié)果?；瘜W(xué)反應(yīng)引起引起腐蝕，在腐蝕過程中不產(chǎn)生電流。金屬的化學(xué)腐蝕只在特定的情況下發(fā)生，不具普遍性。

鋁和介質(zhì)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)而引起的腐蝕，在腐蝕的過程中有陽(yáng)極和陰極區(qū)，電流可以通過金屬在一定的距離中流動(dòng)，如金屬在各種介質(zhì)溶液（如海水、酸、堿、鹽溶液、潮濕大氣等）中的腐蝕。在一般情況下電化學(xué)腐蝕主要為微電池腐蝕和濃差電池腐蝕。