一、設備簡介

      電去離子Electrodeionization，簡稱EDI，又稱連續(xù)電解除鹽技術，它地將電滲析技術和離子交換技術融為一體，通過陰、陽離子的選擇透過作用以及離子交換樹脂對水中離子的交換作用，在電場的作用下實現(xiàn)水中離子的定向遷移，從而達到水的深度凈化除鹽，并通過水電解產(chǎn)生的氫離子和氫氧根離子對裝填樹脂進行連續(xù)再生，因此EDI制水過程不需酸、堿化學藥品再生即可連續(xù)制取高品質(zhì)超純水。
       半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，線寬越窄，對水質(zhì)的要求也越高。目前我國電子工業(yè)部把電子級水質(zhì)技術分為五個行業(yè)等級，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以區(qū)分不同水質(zhì)。
      
      二、設備原理

    電去離子(EDI)系統(tǒng)主要是在直流電場的作用下，通過隔板的水中電介質(zhì)離子發(fā)生定向移動，利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質(zhì)進行提純的一種的水處理技術。電滲析器的一對電極之間，通常由陰膜，陽膜和隔板(甲、乙)多組交替排列，構成濃室和淡室(即陽離子可透過陽膜,陰離子可透過陰膜)。淡室水中陽離子向負極遷移透過陽膜,被濃室中的陰膜截留;水中陰離子向正極方向遷移陰膜,被濃室中的陽膜截留，這樣通過淡室的水中離子數(shù)逐漸減少，成為淡水，而濃室的水中，由于濃室的陰陽離子不斷涌進，電介質(zhì)離子濃度不斷升高，而成為濃水，從而達到淡化、提純、濃縮或精制的目的。

   三、工藝流程

      1、如圖片“工藝流程圖---EDI“

    四、技術參數(shù)
產(chǎn)水量
根據(jù)需求訂制（0.5-300噸/時）
原水源
自來水或地下水（電導率小于400us/cm）
產(chǎn)水水質(zhì)
電導率小于0.056us/cm(電阻率≥18MΩ/cm)
設備功率
5KW-800KW
運行狀態(tài)
自動運行、定時反洗
反洗頻率
隨進水水質(zhì)而變化（1～3天）
化學清洗
隨膜材質(zhì)及膜污染情況而定
產(chǎn)品特點
人機對話、運行穩(wěn)定、水質(zhì)可靠

進水要求：
   
以下是保證 EDI 正常運行的條件。為了使系統(tǒng)運行效果更佳，系統(tǒng)設計時應適當提高這些條件。
   ★給水：RO 純水，一般水的電導率為 4-30us/cm。
   ★PH：5.0-8.0(在此 PH 條件下，水硬度不能太高)
   ★溫度：5-35℃
   ★進水壓力：為 4kg/cm2(60psi)，小為 1.5kg/cm2(25psi)。
   注意：組件壓力損失取決于流量和水溫。
   EDI 組件標準配置：
   ★出水壓力：濃水和電極水的出口壓力必須低于產(chǎn)品的出口壓力。
   ★硬度（以 CaCO3 計）：為 1.0ppm，建議采用 0.1ppm。
   ★物：為 0.05ppm (TOC)。
   ★氧化劑：為 0.05ppm（CL2），0.02ppm（03）建議兩者都沒有。
   ★變價金屬：為 0.01 ppm (Fe)。
   ★二氧化硅：50-150ppb。
   ★二氧化碳 CO2 的總量：二氧化碳含量和 PH 值將明顯影響產(chǎn)品水電阻率。在大于10ppm 時，一般應在 EDI 設備前安裝脫氣裝置。 

   五、設備優(yōu)點
1、占地空間小，省略了混床和再生裝置。
2、產(chǎn)水連續(xù)穩(wěn)定，出水質(zhì)量高，而混床在樹脂臨近失效時水質(zhì)會變差。
3、運行費用低，再生只耗電，不用酸堿，節(jié)省材料費用。
4、環(huán)保效益，增加了操作的安全性。
5、不需要酸堿化學試劑來再生(綠色環(huán)保)。
6、與同類進口產(chǎn)品比，能耗下降30%左右，節(jié)約運行費用。