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詳細(xì)介紹
訂制環(huán)形硅探測器
訂制環(huán)形探測器參數(shù)：
光譜范圍300nm-1100nm
峰值響應(yīng)600nm-700nm
(1) 響應(yīng)度 K。 。在λ=630nm、U=-1.5v、負(fù)載電阻
LR= 1KΩ 時，響應(yīng)度
K 大于 0.4mA/mW,且響應(yīng)度線性好， 當(dāng)負(fù)偏壓超過 1.5V 后， 響
應(yīng)度基本保持不變.
(2) 飽和電流。各探測單元的飽和電流需要求達到 mA 級，功
率要求達到 mW 級。
(3) 最小探測功率。最小探測功率要求小于 1nW。
(4) 光譜響應(yīng)范圍。 。峰值響應(yīng)波長在 600∼ 700nm 之間。
(5) 均勻性 。各探測單元的均勻性小于± 5%。
(6) 反向擊穿電壓 。各探測單元的反向擊穿電壓大于>5V。
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