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產(chǎn)品簡介
芯片測試冷熱沖擊實驗箱產(chǎn)品參數(shù)
| 產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 產(chǎn)品新舊 | 全新 |
| 溫度范圍 | -40℃~150℃ |
芯片測試冷熱沖擊實驗箱詳細信息
芯片測試冷熱沖擊實驗箱是一種模擬自然界溫度急 劇變化的試驗設備,通過它能測試產(chǎn)品在溫度快速變化的過程中所受到的物理和化學方面的損害,從而發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品潛在的質(zhì)量問題,進而對其改進優(yōu)化。冷熱沖擊試驗機是金屬、塑料、航空、航天、橡膠、電子等材料行業(yè)*的試驗設備。
芯片測試冷熱沖擊實驗箱符合標準:
1、GB 10589-89 低溫試驗箱技術條件2、GB 10592-89 高低溫試驗箱技術條件3、GB/T5170.2-1996 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設備基本參數(shù)檢定方法 溫度試驗設備4、GB/T2423.1-2008(IEC60068-2-1:2007) 《低溫試驗方法Ab》5、GB/T2423.2-2008(IEC60068-2-2:2007) 《高溫試驗方法Bb》
6、GJB150.3A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第3部分:高溫試驗
7、GJB150.4A-2009裝備實驗室環(huán)境試驗方法第3部分:低溫試驗
8、GJB150.5-1986溫度沖擊試驗
性能參數(shù)參考如下:
一、低溫沖擊可選擇溫度范圍:A-20℃;B-40℃;C:55℃;D:-65℃(廠家還免費配高溫至150度)。
二、溫度偏差:±2℃。
三、溫度波動度:±0.5℃。
四、溫度恢復時間:≤5min。
五、溫度恢復條件:高溫150℃曝露30min低溫-20℃曝露30min,高溫150℃曝露30min低溫-40℃曝露30min,高溫150℃曝露30min低溫-55℃曝露30min,高溫150℃曝露30min低溫-65℃曝露30min。
六、溫度沖擊轉(zhuǎn)移方式:采用氣動驅(qū)動。
七、高溫室儲溫的升溫時間:30min (+25℃~+200℃)。
八、低溫室儲溫的降溫時間:65min (+25℃~-75℃)。
九、低溫沖擊試驗機|低溫沖擊機|沖擊試驗機工作時的噪音:(dB)≤65( 標準規(guī)定≤65分貝不算噪音)
十、型號 內(nèi)箱尺寸(mm) 外箱尺寸(mm) 功率(kw)
LQ-TS-49 W360×H350×D400 W1550×H1730×D1440 18.5
LQ-TS-80 W500×H400×D400 W1650×H1830×D1500 23.0
LQ-TS-150 W600×H500×D500 W1750×H1930×D1570 28.0
LQ-TS-225 W500×H750×D600 W1450×H2100×D1670 34.0
LQ-TS-408 W750×H800×D800 W1550×H2150×D1900 42.0






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