硅片薄膜厚度儀

硅片薄膜厚度儀

產(chǎn)品概述

硅片薄膜厚度儀屬于精密非接觸式檢測儀器，多用于光伏新能源、半導(dǎo)體材料行業(yè)，用來檢測硅片表面各類功能薄膜的厚度與厚度均勻性。光伏硅片、半導(dǎo)體晶圓表面會制備減反射膜、氧化層、氮化層等多種薄膜，薄膜厚度直接影響光伏電池光電轉(zhuǎn)換效率、半導(dǎo)體器件工作性能。薄膜厚度不均勻、偏差超標(biāo)，會直接造成產(chǎn)品良率下降，增加生產(chǎn)成本。儀器采用光學(xué)非接觸測量原理，測量探頭不接觸硅片表面，不會劃傷、污染試樣，可快速完成單點厚度測量，也可多點掃描檢測薄膜厚度分布情況，滿足新材料研發(fā)、產(chǎn)線抽檢、來料檢驗等多種使用場景，是光伏企業(yè)、半導(dǎo)體材料實驗室的重要質(zhì)檢裝備。

設(shè)備特點

1. 非接觸光學(xué)測量，無試樣損傷，不會劃傷硅片以及表面薄膜涂層；

2. 納米級測量分辨率，檢測精度高，適配薄膜微小厚度變化檢測需求；

3. 檢測速度快，單點測量耗時短，支持多點掃描，快速評估薄膜均勻度；

4. 兼容氧化硅、氮化硅、減反膜等多種光伏、半導(dǎo)體常用薄膜材料；

5. 專用硅片定位載臺，試樣定位穩(wěn)固，測量點位精準(zhǔn)可控；

6. 觸控操作系統(tǒng)，測量數(shù)據(jù)實時展示，自動生成厚度分布數(shù)據(jù)，支持導(dǎo)出歸檔；

7. 整機穩(wěn)定性好，抗環(huán)境干擾，既適合實驗室精密研發(fā)，也可用于車間現(xiàn)場抽檢。

適用試樣

光伏硅片、半導(dǎo)體晶圓片、各類帶沉積薄膜的基底試樣。

檢測項目

薄膜單點厚度、薄膜厚度均勻性、硅片涂層多點厚度分布。

應(yīng)用場景

光伏新能源材料質(zhì)檢、半導(dǎo)體材料研發(fā)、薄膜工藝優(yōu)化驗證。