半導體電學特性測試設備ivcv曲線測試儀概述：

SPA-6100半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及工藝的開發(fā)，具有桌越的測量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結構設計，SPA-6100半導體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測試需要，靈活選配測量單元進行升級。產品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測量，同時檢測10kHz至1MHz范圍內的多頻AC電容測量。SPA-6100半導體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開發(fā)的專用半導體參數(shù)測試軟件,支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作,能夠從測量設置、執(zhí)行、結果分析到數(shù)據(jù)管理的整個過程，實現(xiàn)高效和可重復的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求，更多產品詳情上普賽斯儀表官&網咨詢

產品特點：

30μV-1200V；1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高，全量程下可達0.03%精度；

內置標準器件測試程序，直接調用測試簡便；

自動實時參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強；

免費提供上位機軟件及SCPI指令集；

典型應用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導體材料/器件；

有機OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應測量；

太陽能電池；

非易失性存儲設備；

失效分析；

系統(tǒng)技術規(guī)格

訂貨信息

模塊化構成：

低壓直流I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-Z大電壓300V，Z大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區(qū)間
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護

低壓脈沖I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流、脈沖工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選，Z大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區(qū)間.
-支持二線，四線制測試模式
-支持GUARD保護

高壓I-V源測量單元
-精度0.1%    
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一、三象限工作區(qū)間
-支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護

高流I-V源測量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式.
-Z大電壓100V，Z大直流30A,Z大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區(qū)間
支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護

電壓電容C-V測量單元

-基本精度0.5%
-測試頻率10hZ~1MHz，可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置，Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測試，C-V、 C-f、 C-t

硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測試。絕大多數(shù)半導體材料以及器件的參數(shù)測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據(jù)測試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配，實現(xiàn)測試測試效率與開支的平衡。

靈活可定制化的夾具方案

   針對市面上不同封裝類型的半導體器件產品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可
用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管，模組類產品的測試;也可與探針臺連接，實現(xiàn)晶圓級芯片
測試。

探針臺連接示意圖