1. 原水增壓?jiǎn)卧?/h3>
配備靜音恒壓增壓泵，為整套系統(tǒng)提供穩(wěn)定壓力與恒定流量，規(guī)避水壓波動(dòng)造成的膜通量不均、水質(zhì)波動(dòng)、過(guò)濾不充分等問(wèn)題。穩(wěn)定的進(jìn)水工況可保障1噸設(shè)備連續(xù)量產(chǎn)制水一致性，為芯片超純水穩(wěn)定提純提供基礎(chǔ)動(dòng)力保障。
2. 多介質(zhì)過(guò)濾單元
采用精制石英砂多層濾料，強(qiáng)力攔截原水泥沙、鐵銹、懸浮雜質(zhì)、粗大膠體，大幅降低進(jìn)水濁度與SDI值，避免大顆粒雜質(zhì)磨損高壓泵、堵塞反滲透膜流道。設(shè)備全自動(dòng)正反沖洗，杜絕濾料板結(jié)、積污滋生，從源頭減少固體微粒進(jìn)入后端精密系統(tǒng)，適配芯片用水低顆粒核心要求。
3. 高級(jí)活性炭過(guò)濾單元
采用高吸附進(jìn)口椰殼活性炭，專(zhuān)項(xiàng)吸附水中余氯、異色異味、腐殖質(zhì)、大分子有機(jī)物、TOC前驅(qū)物，杜絕余氯氧化膜元件與樹(shù)脂，有效降低水體總有機(jī)碳含量。針對(duì)芯片制程痛點(diǎn)，嚴(yán)控有機(jī)污染殘留，避免有機(jī)物附著晶圓表面造成制程缺陷。
4. 全自動(dòng)軟水單元
采用高性能鈉離子交換樹(shù)脂，置換水中鈣、鎂硬度離子，杜絕反滲透膜、EDI模塊結(jié)垢風(fēng)險(xiǎn)。穩(wěn)定去除水體硬度與微量金屬離子，防止金屬離子殘留導(dǎo)致芯片導(dǎo)電、微短路不良問(wèn)題，保障后端脫鹽系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定無(wú)結(jié)垢、無(wú)衰減。
5. 5μm精密保安過(guò)濾單元
采用高純PP精密濾芯，作為反滲透前置防護(hù)，攔截濾料脫落粉末、細(xì)微膠體、微小雜質(zhì)，防止硬質(zhì)顆粒劃傷膜面、堵塞流道，保障雙級(jí)反滲透系統(tǒng)進(jìn)水潔凈，為高純度預(yù)脫鹽奠定基礎(chǔ)。
6. 雙級(jí)反滲透深度脫鹽單元
搭載半導(dǎo)體專(zhuān)用抗污染低壓反滲透膜，一級(jí)反滲透去除98%以上鹽分、膠體、微粒、有機(jī)物；二級(jí)反滲透深度精脫鹽，系統(tǒng)綜合脫鹽率≥99.8%?？捎行コ兄亟饘?、陰陽(yáng)離子、懸浮顆粒、大分子污染物，大幅降低水電導(dǎo)率，為EDI與拋光混床提供超高純前置進(jìn)水，是芯片用水低離子、低雜質(zhì)的核心保障。
7. EDI連續(xù)電除鹽單元
采用半導(dǎo)體級(jí)高精密EDI模塊，無(wú)酸堿再生、無(wú)污染、水質(zhì)穩(wěn)定。在電場(chǎng)作用下深度脫除水中殘余微量離子、可溶性硅、硼、弱電解質(zhì)等難去除雜質(zhì)，進(jìn)一步提升水體純度，解決普通純水設(shè)備硅、硼殘留超標(biāo)導(dǎo)致的芯片鍍膜不良問(wèn)題，水質(zhì)穩(wěn)定性遠(yuǎn)超常規(guī)工業(yè)純水設(shè)備。
8. 無(wú)菌高純水箱與UV-TOC降解單元
配置無(wú)塵級(jí)封閉式高純水箱，316L衛(wèi)生級(jí)材質(zhì)、不析出、不吸附，搭配無(wú)菌呼吸除菌裝置，杜絕空氣微粒與細(xì)菌侵入。搭載UV-TOC雙功能紫外燈，既能殺滅水體微生物，又可強(qiáng)效降解有機(jī)碳，嚴(yán)控TOC指標(biāo)，解決芯片制程有機(jī)物殘留、表面臟污、良率低等痛點(diǎn)。
9. 精密拋光混床單元（芯片核心提純）
增設(shè)半導(dǎo)體專(zhuān)用拋光混床樹(shù)脂，是超純水達(dá)到18.25MΩ·cm的核心單元?？缮疃炔蹲紼DI出水殘余痕量離子、微量金屬雜質(zhì)，實(shí)現(xiàn)水質(zhì)拋光提純，穩(wěn)定達(dá)成半導(dǎo)體一級(jí)超純水標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足晶圓清洗、光刻、蝕刻等高精度制程用水需求。
10. 多級(jí)終端精密過(guò)濾單元
采用分級(jí)過(guò)濾設(shè)計(jì)，依次通過(guò)0.45μm前置過(guò)濾＋0.22μm終端超濾，層層攔截管路微量脫落顆粒、樹(shù)脂碎片、細(xì)微懸浮物，保障出水無(wú)微粒、無(wú)雜質(zhì)、無(wú)懸浮物，杜絕芯片表面顆粒缺陷、劃傷、臟污不良。
11. 半導(dǎo)體級(jí)閉式循環(huán)保純系統(tǒng)
全程采用衛(wèi)生級(jí)潔凈管路，無(wú)盲管、無(wú)死水死角，設(shè)備待機(jī)、用水間隙持續(xù)活水微循環(huán)，避免水體靜置變質(zhì)、離子析出、微粒沉積、微生物滋生。全程保障用水終端水質(zhì)恒定、純度無(wú)衰減，適配半導(dǎo)體車(chē)間24小時(shí)不間斷精密生產(chǎn)工況。
三、半導(dǎo)體芯片專(zhuān)用核心水質(zhì)參數(shù)
額定產(chǎn)水量：1000L/H；出水等級(jí)：半導(dǎo)體工業(yè)一級(jí)超純水；出水電阻率：18.25MΩ·cm（25℃）；TOC含量：≤5ppb；微粒控制：≥0.1μm顆粒近乎為零；微生物：0CFU/mL；硅含量、硼含量：符合半導(dǎo)體制程超低殘留標(biāo)準(zhǔn)；系統(tǒng)脫鹽率：≥99.8%；運(yùn)行模式：PLC全自動(dòng)24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行；管路標(biāo)準(zhǔn)：無(wú)塵無(wú)菌閉式循環(huán)管路。
四、設(shè)備工藝核心優(yōu)勢(shì)（芯片制程專(zhuān)屬）
1. 高純，適配芯片精密制程：雙級(jí)RO＋EDI＋拋光混床三級(jí)深度提純，水質(zhì)可達(dá)18.25MΩ·cm，嚴(yán)控離子、硅、硼、TOC、微粒五大芯片核心超標(biāo)項(xiàng)，杜絕制程不良。
2. 超低TOC、無(wú)有機(jī)殘留：專(zhuān)屬UV-TOC降解工藝，有效降低水體有機(jī)碳含量，解決芯片光刻殘膠、表面臟污、鍍膜不均等問(wèn)題，提升芯片良品率。
3. 全程無(wú)微粒、無(wú)二次污染：多級(jí)精密過(guò)濾＋無(wú)塵水箱＋閉式活水循環(huán)，從源頭杜絕顆粒雜質(zhì)、微生物滋生，滿(mǎn)足晶圓超潔凈清洗要求。
4. 水質(zhì)長(zhǎng)期穩(wěn)定、抗波動(dòng)強(qiáng)：梯度凈化工藝搭配精密拋光，抗原水波動(dòng)、抗負(fù)荷波動(dòng)，24小時(shí)連續(xù)制水水質(zhì)無(wú)衰減，適配芯片量產(chǎn)穩(wěn)定需求。
5. 全自動(dòng)無(wú)塵運(yùn)維、低損耗：全程智能全自動(dòng)運(yùn)行，無(wú)需人工接觸水體，避免人為污染；核心耗材壽命長(zhǎng)，運(yùn)行穩(wěn)定、故障率極低，適配半導(dǎo)體潔凈車(chē)間管理標(biāo)準(zhǔn)。
五、適用場(chǎng)景
專(zhuān)門(mén)適配半導(dǎo)體芯片、集成電路、晶圓制造、光刻工藝、蝕刻清洗、芯片鍍膜、半導(dǎo)體封裝測(cè)試、精密電子元器件生產(chǎn)、芯片實(shí)驗(yàn)室研發(fā)、半導(dǎo)體材料清洗等超高純、低顆粒、低TOC、無(wú)離子污染精密制程用水場(chǎng)景。
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