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F-JTDG1110晶體的電光效應(yīng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京方式科技有限責(zé)任公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2026/6/13 7:57:22
  • 訪問(wèn)次數(shù)50
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北京方式科技有限責(zé)任公司是一家以光電技術(shù)為主要研究方向的專業(yè)公司,主要從事光電類科研、教學(xué)儀器的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn),目前主要產(chǎn)品有:半導(dǎo)體激光器系列、氦氖激光器系列、光學(xué)機(jī)械、教學(xué)實(shí)驗(yàn)儀器等八大系列二百多種產(chǎn)品。 公司依托北京地區(qū)*,以技術(shù)上的不斷創(chuàng)新為發(fā)展動(dòng)力,以的技術(shù)和產(chǎn)品、*的售后服務(wù)贏得市場(chǎng),在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中不斷*自己,在客戶中贏得了良好的聲譽(yù)。BEIJING FORCE TECHNOLOGY LIMITED COMPANY (FORCE TECHNOLOGY., Ltd) is a professional technology company, which main researches photo-electron technology. And the company depends on technology results to develop and product teaching equipments. Its main production includes: Helium neon laser, Stabilized helium neon Laser. Diode laser, D hologram system, Optical experiment instruments for students, Optical elements, Optic -mechanical component etc.The company holds strong technology ability, technology development capability, unique technology & products and perfect after services to obtain market share. Its good reputation wins large of consumers in the competitive market。
實(shí)驗(yàn)儀器
F-JTDG1110晶體的電光效應(yīng) 觀察會(huì)聚偏振光經(jīng)過(guò)LiNbO3晶體后形成的干涉圖形,比較不同電壓條件下的差異,理解單軸晶體與雙軸晶體的區(qū)別
F-JTDG1110晶體的電光效應(yīng) 產(chǎn)品信息
F-JTDG1110晶體的電光效應(yīng)
  • 觀察會(huì)聚偏振光經(jīng)過(guò)LiNbO3晶體后形成的干涉圖形,比較不同電壓條件下的差異,理解單軸晶體與雙軸晶體的區(qū)別。
  • 觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態(tài),理解泡克耳斯效應(yīng)的作用機(jī)理。
  • 測(cè)量半波電壓,確定Δn與E的線性關(guān)系,繪出光的調(diào)制曲線。
  • 用正弦電信號(hào)對(duì)晶體進(jìn)行調(diào)制,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光傳輸,理解工作點(diǎn)對(duì)調(diào)制、傳輸過(guò)程的影響。
  • 外加音頻信號(hào),實(shí)驗(yàn)音頻信號(hào)的光傳輸以重現(xiàn),了解光通訊中信號(hào)外調(diào)制的原理和方法。
  • 光學(xué)實(shí)驗(yàn)導(dǎo)軌:800mm。
  • 實(shí)驗(yàn)主機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓:Vmax≥1600V
  • 半導(dǎo)體激光器:650nm, 4mW。
  • LN晶體附件:三維可調(diào),通光面積:5*5mm2
  • 二維可調(diào)光電二極管探頭:調(diào)整范圍:±2.5mm.
  • 二維可調(diào)擴(kuò)束鏡:25倍,調(diào)制范圍:±2.5mm.
  • 激光功率指示計(jì):三位半數(shù)字表頭,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可調(diào)檔。最小分辨率0.1u W。
  • 采用半導(dǎo)體激光器作為光源(650nm4mW)。
  • 晶體的通光面積為5×5mm2
  • 驅(qū)動(dòng)電壓Vmax≥1600V使現(xiàn)象更加清晰、完整。
  • 可觀察在電場(chǎng)作用下LN晶體由一個(gè)單軸晶體變化為雙軸晶體的過(guò)程。
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