在半導體生產(chǎn)流程中，晶圓、芯片、電路板等器件的清洗環(huán)節(jié)對水質(zhì)純度要求，水中哪怕微量的離子、雜質(zhì)都會影響芯片良率與器件性能。1T/H（每小時產(chǎn)水1噸）半導體專用超純水設(shè)備，是專為中小型半導體生產(chǎn)、研發(fā)場景設(shè)計的超純水制備系統(tǒng)，可穩(wěn)定產(chǎn)出符合電子級標準的超純水，滿足中小規(guī)模半導體生產(chǎn)、研發(fā)的清洗用水需求，是中小晶圓加工廠、半導體封裝測試廠、電子器件研發(fā)實驗室的核心配套水處理設(shè)備。

核心定位與適用場景

半導體生產(chǎn)的集成度越高，對超純水的純度要求越嚴苛：目前電子級超純水按電阻率分為五個等級，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，1T/H的產(chǎn)水規(guī)模剛好匹配中小體量的半導體生產(chǎn)用水需求，適配日均清洗量在中小規(guī)模的晶圓切片、半導體封裝、線路板生產(chǎn)場景，也能滿足半導體研發(fā)實驗室、光電器件生產(chǎn)車間的用水要求。

該設(shè)備的核心適用場景包括：

中小型半導體工廠：半導體材料加工、單晶硅生產(chǎn)、集成電路封裝測試環(huán)節(jié)的半成品/成品清洗用水

電子元器件生產(chǎn)：印刷電路板、液晶顯示器、光電器件、光學鏡片的清洗工序

研發(fā)場景：半導體研發(fā)實驗室、高校微電子相關(guān)實驗室的實驗用水，以及超純化學試劑勾兌用水

主流制備工藝

宜昌市1T/H半導體專用超純水設(shè)備主流采用環(huán)保高效的**雙級反滲透+EDI（連續(xù)電除鹽）**工藝，可根據(jù)對水質(zhì)的更高要求增加拋光樹脂終端處理，具體工藝流程分為兩類：

常規(guī)15MΩ.cM工藝：原水箱→原水泵→多介質(zhì)過濾器→軟化過濾器→精密過濾器→一級增壓泵→一級反滲透→中間水箱→二級增壓泵→二級反滲透→純化水箱→EDI輸送泵→EDI設(shè)備→超純水箱→輸送泵→使用點，出水電阻率可達≥15MΩ.cM，滿足常規(guī)半導體器件清洗需求。

18MΩ.cM工藝：在上述工藝基礎(chǔ)上，增加紫外線殺菌+拋光樹脂+0.22μm精密過濾環(huán)節(jié)，最終出水電阻率可達≥18MΩ.cM，大規(guī)模集成電路、超細線寬晶圓加工的超高標準水質(zhì)要求。

相較于傳統(tǒng)的離子交換混床工藝，該工藝無需酸堿再生，無污水排放，不會因再生停機，運行成本僅為傳統(tǒng)工藝的65%，更符合現(xiàn)代化生產(chǎn)的環(huán)保與效率要求。

核心技術(shù)參數(shù)

目前主流量產(chǎn)的宜昌市1T/H半導體專用超純水設(shè)備，核心參數(shù)如下：

額定產(chǎn)水量：1噸/小時

脫鹽率：≥99.99%，機型可達99.9999%

出水電阻率：穩(wěn)定在15-18.2MΩ.cm（25℃），對應(yīng)電導率≤0.06μs/cm

進水要求：城市自來水，進水水溫5-35℃，工作壓力≤1.0MPa

供電要求：AC380V/50HZ（三相四線），額定功率約2KW

設(shè)備核心優(yōu)勢

水質(zhì)高度穩(wěn)定：搭配在線電導率/電阻率實時監(jiān)測系統(tǒng)，可實時把控水質(zhì)，產(chǎn)水純度長期穩(wěn)定符合電子級標準，滿足半導體生產(chǎn)對水質(zhì)的嚴苛要求。

自動化程度高：采用PLC全自動控制，可自動完成產(chǎn)水、沖洗、維護流程，不需要專人值守，操作簡單安全，降低人工運維成本。

環(huán)保節(jié)能：EDI模塊不需要酸堿化學再生，無二次污染，也省去了化學藥劑儲運和廢液處理成本；搭配節(jié)能型EDI模塊，耗電更低，運行成本遠低于傳統(tǒng)工藝。

結(jié)構(gòu)緊湊省空間：采用模塊化堆疊設(shè)計，整體占地面積僅約1平方米，僅為傳統(tǒng)工藝設(shè)備的15%，適配中小工廠的場地條件。

可連續(xù)生產(chǎn)：不會因樹脂再生環(huán)節(jié)停機，可24小時不間斷制水，保障半導體生產(chǎn)的連續(xù)性。