硅鉬棒
二硅化鉬(MoSi2)電熱元件主要是以硅粉和鉬粉為原料,用粉末冶金方法經(jīng)擠壓、燒結(jié)而成,簡稱硅鉬棒。這種元件在氧化氣氛中可以用到1650℃,是目前工業(yè)上在氧化氣氛中使用溫度
摘要
- 標題: 硅鉬棒
- 作者: 城池工業(yè)爐
- 時間:2015-12-27 20:45:50
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硅鉬棒
二硅化鉬(MoSi2)電熱元件主要是以硅粉和鉬粉為原料,用粉末冶金方法經(jīng)擠壓、燒結(jié)而成,簡稱硅鉬棒。這種元件在氧化氣氛中可以用到1650℃,是目前工業(yè)上在氧化氣氛中使用溫度的電熱元件。
的形狀主要有U形、W形和O形三種,這是因為硅鉬棒在高溫下的熱塑性較大,以避免水平放置時在自重作用下的變形和便于克服高溫線膨脹。它與柄形硅碳棒相同,其冷端部加粗,以增大斷面面積,使電阻降低。

硅鉬棒在氧化氣氛下加熱到1200℃以上發(fā)生如下反應(yīng):
2MoSi2 + 7O2→2MoO3↑+4SiO2
MoO3揮發(fā)掉,SiO2就附在元件表面生成致密的石英玻璃膜,保護基體不再氧化。因此,硅鉬棒的抗氧化性很好,在氧化氣氛下使用溫度可達1700℃(低于石英溶點1713℃)。如因為機械的或化學的損傷而破壞了Si02膜,在使用過程中還會自動再次生成。
硅鉬棒的性能與金屬陶瓷材料相似,在室溫下既硬又脆,抗沖擊強度較低;抗彎、抗拉強度較好; 在1350℃以上便會發(fā)生塑性變形,伸長率約5%。冷熱急變性良好,冷卻后恢復(fù)脆性。硅鉬棒的電阻率較小,其電阻-溫度特性與金屬的相似,為正溫度特性,從室溫到高溫,電阻率隨溫度增長較快,因而具有可自動防止升溫過快的優(yōu)點。
硅鉬棒特別適于在空氣、氮、二氧化碳和惰性氣體(氦、氖、氬)中工作,在還原性氣氛(CO、分解氨和碳氫化合物)中也得到很好的效果,水蒸氣對其無害,氫會破壞其保護膜,而形成一種碳氫化合物,但當溫度低于1350℃時仍能應(yīng)用。氫氣的露點越低 (即水分含量越低),硅鉬棒的允許使用溫度越低。硫、氟、氯和堿對元件有害,酸類對元件發(fā)生反應(yīng),應(yīng)避免接觸。硅鉬棒在各種氣氛中的使用溫度見表。
表 硅鉬棒在各種氣氛中的使用溫度
表 硅鉬棒在各種氣氛中的使用溫度
| 爐內(nèi)氣氛 | 使用溫度/℃ |
|---|---|
| 空氣及氧 | 1700 |
| 氮 | 1550 |
| 干氫 | 1350 |
| 濕氫(露點10℃) | 1400 |
| 分解氨 | 1400 |
| 惰性氣體(氦、氖、氬) | 1500 |
| 一氧化碳 | 1500 |
| 二氧化碳 | 1600 |
| 二氧化氮 | 1700 |
| 二氧化疏 | 1600 |
| 甲烷 | 1350 |
| 真空:1.33Pa | 1300 |
| 1.33×10-2Pa | 1000 |
硅鉬棒在真空高溫下會發(fā)生升華,真空度越高,其使用溫度極限越低。














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