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GCSTD-CII電子技術(shù)介電常數(shù)測試儀

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京中科微納精密儀器有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)GCSTD-CII
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2025/9/2 8:02:33
  • 訪問次數(shù)125
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北京中科微納精密儀器有限公司是一家注冊成立于北京中關(guān)村延慶科技園的科技研發(fā)型企業(yè),擁有獨(dú)立的研發(fā)、設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),并與國內(nèi)多家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)合作,提供技術(shù)支持及開發(fā)合作,目公司陸續(xù)開發(fā)了系列檢測儀器,主要覆蓋行業(yè)有域?yàn)榉勰y試、炭素石墨材料測試、電池檢測儀器、預(yù)焙陽及電糊檢測等。
電阻率測控儀
GCSTD-CII工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法GB/T5654-2007液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量GB/T21216-2007絕緣液體測量電導(dǎo)和電容確定介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法GB/T5594
GCSTD-CII電子技術(shù)介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品信息
 
GCSTD-CII工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
GB/T1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GB/T 5654-2007 液體絕緣材料 相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量
GB/T 21216-2007 絕緣液體 測量電導(dǎo)和電容確定介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法
GB/T 1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測定方法
GB/T 5594.4-1985__電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測試方法__介質(zhì)損耗角正切值的測試方法
 
一、產(chǎn)品概述
本儀器是一種的測量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,測量各種絕緣材料、絕緣套管、絕緣液體、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓,抗干擾能力強(qiáng), 測試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。
本測試儀采用變頻電源技術(shù),利用單片機(jī)和電子技術(shù)進(jìn)行自動(dòng)頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運(yùn)算、測試速度快、精度高、操作簡便的功能。
1、儀器測量準(zhǔn)確度高,可滿足油介損測量要求,因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯,和專用測試線即可實(shí)現(xiàn)油介損測量。
2、采用變頻技術(shù)來消除現(xiàn)場50Hz工頻干擾,即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測得可靠的數(shù)據(jù)。
3、過流保護(hù)功能,在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞。
4、內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源,便于現(xiàn)場測試,減少現(xiàn)場接線。
5、儀器采用大屏幕液晶顯示器,測試過程通過漢字菜單提示既直觀又便于操作。
技術(shù)指標(biāo)
 1、試驗(yàn)環(huán)境溫度:10℃~30℃(LCD液晶屏應(yīng)避免長時(shí)間日照)
 2、相對濕度:20%~80%
 3、供電電源:電壓:220V±10%
 4、外形尺寸:長*寬*高=470mm*320mm*360mm
 5、重量:16kg
 6、輸出功率:1.5KVA
 7、顯示分辨率:3位、4位(內(nèi)部全是6位)
 8、測試方法:正接法、反接法、外接試驗(yàn)電壓法
 9、測量范圍:內(nèi)接試驗(yàn)電壓:
tgδ:99.9%
Cx :30 pF<Cx(10KV)<60000 pF
    10KV Cx<60000 pF
   5KV   Cx<80000 pF
    2.5KV Cx<0.3uF
外接試驗(yàn)電壓:
由外接試驗(yàn)變壓器輸出功率而定
 10、基本測量誤差:介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.09% 
電容容量(Cx):1.5%±1pF

 


         
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