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高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)

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產(chǎn)地 上海: 更新時(shí)間
2025/9/1 8:10:33

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高低溫沖擊試驗(yàn)箱

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)詳細(xì)信息

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)簡介：

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)主要用于電子電器零組件、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑料等行業(yè)，國防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,通過測試其材料對高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害，可確認(rèn)產(chǎn)品的質(zhì)量,從精密的IC到重機(jī)械的組件，作為其產(chǎn)品改進(jìn)的依據(jù)或參考。以便考核試品的適應(yīng)性或?qū)υ嚻返男袨樽鞒龈倪M(jìn)、鑒定及出廠檢驗(yàn)用。

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)技術(shù)性能：


機(jī)型	JS-GDCJ-100/150/200/500B
測試環(huán)境條件	環(huán)境溫度為+25℃、試驗(yàn)箱內(nèi)無試樣條件下
測試方法	GB/T 5170.2-1996 溫度試驗(yàn)設(shè)備
高溫室
預(yù)溫度范圍	RT～+200℃
升溫時(shí)間	RT+10℃→+200℃ ≤40min 注：升溫時(shí)間為高溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能
低溫室
預(yù)冷溫度范圍	RT~-70℃
降溫時(shí)間	RT → -70℃≤60min 注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能
試驗(yàn)室（試樣區(qū)）
試驗(yàn)方式	氣動(dòng)風(fēng)門切換 3 溫區(qū)沖擊試驗(yàn)條件（高溫-常溫-低溫） 2 溫區(qū)沖擊試驗(yàn)條件（高溫-低溫）
溫度沖擊范圍	-55℃～ +80℃
溫度波動(dòng)度	±0.5℃
溫度偏差	±2.0℃
溫度恢復(fù)時(shí)間	≤5min
恢復(fù)條件	試樣：塑料封裝集成電路（均布）傳感器位置：試樣的上風(fēng)側(cè) 高溫曝露： RT~+150℃：≥30分鐘環(huán)境溫度曝露：常溫低溫曝露： RT~-55℃：≥30分鐘試樣重量：4.5kg（如需要放置重的試樣，請?zhí)崆案嬷?/span>
制冷方式	水冷

高低溫沖擊試驗(yàn)箱，三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)滿足標(biāo)準(zhǔn)：

1.GJB 150.5A-2009溫度沖擊試驗(yàn)

2.GJB 360B-2009溫度沖擊試驗(yàn)

3.GB/T 2424.13-2002/IEC 60068-2-33:1971電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則

4.GB/T 2423.22-2012/IEC 60068-2-14:2009溫度沖擊試驗(yàn)

5.GB/T 2423.1-2008/IEC6008-2-1-2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A：低溫

6.GB/T 2423.2-2008/IEC60068-2-2：2007 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B：高溫

7.GB/T 10589-2008 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

8.GB/T 11158-2008 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件

關(guān)鍵詞：高低溫沖擊試驗(yàn)箱沖擊試驗(yàn)機(jī) 試驗(yàn)箱傳感器低溫試驗(yàn)箱

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