GD Profiler 2 射頻輝光放電光譜儀

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產(chǎn)地 上海市: 更新時(shí)間
2025/7/17 9:08:54

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解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)輝光放電光譜儀是解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)的強(qiáng)有力手段，可以通過(guò)元素變化獲得鍍層結(jié)構(gòu)、層間擴(kuò)散、元素富集、表面處理、鍍層均一性等信息，從而改善工藝條件等

射頻輝光放電光譜儀詳細(xì)信息

解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)
輝光放電光譜儀是解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)的強(qiáng)有力手段，可以通過(guò)元素變化獲得鍍層結(jié)構(gòu)、層間擴(kuò)散、元素富集、表面處理、鍍層均一性等信息，從而改善工藝條件等。主要應(yīng)用行業(yè)有金屬冶金、半導(dǎo)體器件、LED芯片、薄膜太陽(yáng)能電池、鋰電池陰陽(yáng)、光學(xué)玻璃、核材料等。

GD-Profiler 2 作為快鍍層分析的理想工具，適合于導(dǎo)體和非導(dǎo)體復(fù)合鍍層的分析，操作簡(jiǎn)單、便于維護(hù)，是鍍層材料研發(fā)、質(zhì)控的理想工具。

? 使用脈沖式射頻輝光源，可有效分析熱導(dǎo)性能差以及熱敏感的樣品。
? 采用高動(dòng)態(tài)檢測(cè)器（HDD），可測(cè)試ppm-99%的濃度范圍，Polyscan多道掃描的光譜分辨率為18pm~25pm等。
? 分析速度快（2-10nm/s）

技術(shù)參數(shù)：

1、射頻發(fā)生器-標(biāo)準(zhǔn)配置、復(fù)合D級(jí)標(biāo)準(zhǔn)、穩(wěn)定性高、濺射束斑為平坦、等離子體穩(wěn)定時(shí)間短，表面信息無(wú)任何失真。
2、脈沖工作模式既可以分析常規(guī)的涂/鍍層和薄膜，也可以很好地分析熱導(dǎo)性能差和熱易碎的涂/鍍層和薄膜。
3、Polyscan多道（同時(shí)）光譜儀可全譜覆蓋，光譜范圍從110nm-800nm，可測(cè)試遠(yuǎn)紫外元素C、H、O、N和Cl。
4、離子刻蝕全息光柵保證了儀器擁有大的光通量，因而擁有光效率和靈敏度。
5、高動(dòng)態(tài)檢測(cè)器（HDD）可快速、高靈敏的檢測(cè)ppm-99%含量的元素。動(dòng)態(tài)范圍為5×1010。
6、寬大的樣品室方便各類(lèi)樣品的加載。
7、功能強(qiáng)的Quantum軟件可以靈活方便的輸出各種格式的檢測(cè)報(bào)告。
8、單色儀（選配）可提高儀器靈活性，可實(shí)現(xiàn)固定通道外任意一個(gè)元素的同步測(cè)試，稱(chēng)為n+1。
9、適用于ISO14707和16962標(biāo)準(zhǔn)。

儀器原理：

輝光放電腔室內(nèi)充滿(mǎn)低壓氬氣，當(dāng)施加在放電兩的電壓達(dá)到一定值，超過(guò)激發(fā)氬氣所需的能量即可形成輝光放電，放電氣體離解為正電荷離子和自由電子。在電場(chǎng)的作用下，正電荷離子加速轟擊到（陰）樣品表面，產(chǎn)生陰濺射。在放電區(qū)域內(nèi)，濺射的元素原子與電子相互碰撞被激化而發(fā)光。

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