1產(chǎn)品描述
CP-MS已被為痕量金屬元素分析的 技術(shù)。當(dāng)今的常規(guī)實(shí)驗(yàn)室要求比 ICP-OES更為靈敏，比石墨爐原子吸收 (GFAAS)更為快速的分析技術(shù)。ICP-MS 可滿足上述兩方面的需求，它具有更寬 的工作范圍，并可同時(shí)測(cè)定能生成氫化 物的元素及痕量Hg，同時(shí)還具備半定量 及同位素比分析能力。ICP-MS又可作為 一種極為理想的多功能的檢測(cè)器，與色 譜和激光技術(shù)聯(lián)用。 安捷倫新的7500系列具有自動(dòng)化的 易于使用、靈活性、可靠性以及優(yōu)秀的 設(shè)計(jì)，它提供了的分析性能。 新的7500系列可配備第二代八級(jí)桿反應(yīng) 池(ORS)技術(shù)，提供多種選擇的進(jìn)樣附件、 應(yīng)用與維修服務(wù)支持，它正在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入ICP-MS時(shí)代。 安捷倫新的7500系列包括兩種不同的型 號(hào)，可滿足不同的應(yīng)用需求和經(jīng)費(fèi)預(yù)算。 無(wú)論您的應(yīng)用需求有什么變化，安捷倫 都將確保儀器的擴(kuò)展功能與現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)能 力，使您的投資得到報(bào)償
色譜與ICP-MS聯(lián)用：元素形態(tài)分析 在環(huán)境、生物醫(yī)學(xué)、食品、制藥以及石 油化工領(lǐng)域，人們正在認(rèn)識(shí)到不僅需要 測(cè)定一種元素的總量，更為重要的是要 能夠測(cè)出其化學(xué)形態(tài)。因?yàn)樵氐幕瘜W(xué) 形態(tài)可能對(duì)元素的生物有效性、遷移性、 毒理性以及化學(xué)性質(zhì)有著更為重要的影 響。目前，ICP-MS與各種色譜分離技術(shù) 聯(lián)用被為是通用的有力的元素 形態(tài)分析工具。 作為世界上的GC，LC，CE以及 ICP-MS的供應(yīng)商，安捷倫為形態(tài)分析提 供了可用于常規(guī)分析的聯(lián)用方案并推動(dòng) 世界形態(tài)分析領(lǐng)域迅速發(fā)展。安捷倫于 2001年推出了臺(tái)商品GC-ICP-MS接 口，其特色是提供了可加熱的傳輸管線， 能處理高沸點(diǎn)化合物。安捷倫也提供 IC-ICP-MS連接配件包以及完整的分析方 案，比如尿中砷形態(tài)分析配件包。安捷 倫的分離技術(shù)專業(yè)經(jīng)驗(yàn)將保證聯(lián)用技術(shù) 的嚴(yán)密安裝及應(yīng)用實(shí)施。
ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry），可分析幾乎地球上所有元素（Li-U）
ICP-MS技術(shù)是80年代發(fā)展起來(lái)的新的分析測(cè)試技術(shù)。它以將ICP的高溫（8000K）電離特性與四極桿質(zhì)譜計(jì)的靈敏快速掃描的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合而形成一種新型的有力的元素分析、同位素分析和形態(tài)分析技術(shù)。
該技術(shù)提供了極低的檢出限、極寬的動(dòng)態(tài)線性范圍、譜線簡(jiǎn)單、干擾少、分析精密度高、分析速度快以及可提供同位素信息等分析特性。
自1984年臺(tái)商品儀器問(wèn)世以來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)已從最初在地質(zhì)科學(xué)研究的應(yīng)用迅速發(fā)展到廣泛應(yīng)用于環(huán)境保護(hù)、半導(dǎo)體、生物、醫(yī)學(xué)、冶金、石油、核材料分析等領(lǐng)域。
被稱為當(dāng)代分析技術(shù)最激動(dòng)人心的發(fā)展。
ICP離子源中的物質(zhì)
1) 已電離的待測(cè)元素：As+, Pb +, Hg +, Cd +, Cu +, Zn +, Fe +, Ca +, K +, ••••••
2） 主體：Ar原子(>99.99％)
3） 未電離的樣品基體：Cl, NaCl(H2O) n, SOn, POn, CaO, Ca(OH)n, FeO, Fe(OH) n,••••••這些成分會(huì)沉積在采樣錐、截取錐、級(jí)提透鏡、第二級(jí)提取透鏡（以上部件在真空腔外） 、聚焦透鏡、W偏轉(zhuǎn)透鏡、偏置透鏡、預(yù)四極桿、四極桿、檢測(cè)器上（按先后順序依次減少），是實(shí)際樣品分析時(shí)使儀器不穩(wěn)定的主要因素，也是儀器污染的主要因素；
4） 已電離的樣品基體：ArO+, Ar +, ArH+, ArC +, ArCl +, ArAr +,（Ar基分子離子） CaO+, CaOH +, SOn +, POn +, NOH +, ClO + ••••••（ 樣品基體產(chǎn)生），這些成分因?yàn)榉肿恿颗c待測(cè)元素如Fe, Ca, K, Cr, As, Se, P, V, Zn, Cu等的原子量相同，是測(cè)定這些元素的主要干擾；
特別需要注意的是，1ppt濃度的樣品元素在0.4mL/min（Babinton霧化器，0.1rps）速度進(jìn)樣時(shí)，相當(dāng)于每秒進(jìn)入儀器>10,000,000個(gè)原子；而在檢測(cè)器得到的離子數(shù)在10－1000之間，即>99.99%的樣品及其基體停留在儀器內(nèi)部或被排廢消除；因此，加大進(jìn)樣量提高靈敏度的后果是同時(shí)加大儀器受污染速度。
等離子體能量越高à電離效率越高
許多元素的電離度主要取決于等離子體的溫度，若等離子體的能量不夠高，
基體水平的變化就會(huì)引起輕微的溫度變化，從而嚴(yán)重影響靈敏度。
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| plasma temperature |
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| Element | Ip (eV) | 5000 K | 6000 K | 7000 K | 8000 K |
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| Cs | 3.89 | 99.4% | 99.9% | 100.0% | 100.0% |
| Na | 5.14 | 90.0% | 98.9% | 99.8% | 99.9% |
| Ba | 5.21 | 88.4% | 98.7% | 99.8% | 99.9% |
| Li | 5.39 | 83.4% | 98.2% | 99.7% | 99.9% |
| Sr | 5.69 | 71.5% | 96.8% | 99.5% | 99.9% |
| Al | 5.98 | 56.2% | 94.5% | 99.1% | 99.8% |
| Pb | 7.42 | 4.3% | 51.2% | 91.1% | 98.3% |
| Mg | 7.64 | 2.6% | 40.7% | 87.7% | 97.7% |
| Co | 7.86 | 1.6% | 31.0% | 83.2% | 96.9% |
| Sb | 8.64 | 0.3% | 9.0% | 57.6% | 90.9% |
| Cd | 8.99 | 0.1% | 4.8% | 43.2% | 85.7% |
| Be | 9.32 | 0.1% | 2.6% | 30.6% | 78.8% |
| Se | 9.75 | 0.0% | 1.1% | 17.8% | 66.6% |
| As | 9.81 | 0.0% | 1.0% | 16.4% | 64.6% |
| Hg | 10.43 | 0.0% | 0.3% | 6.5% | 42.6% |
氧化物干擾比例比較表 －CeO/Ce成為表征
| 元素 | MO鍵強(qiáng)度 (kJ/mol) | MO+/M+ |
| Rb | 255 | 5.5 x 10-7 |
| Cs | 297 | 2.8 x 10-8 |
| Co | 368 | 1.7 x 10-5 |
| Pb | 409 | 1.2 x 10-5 |
| Fe | 427 | 1.1 x 10-5 |
| Cr | 512 | 3.6 x 10-5 |
| Al | 563 | 1.1 x 10-5 |
| Ba | 597 | 8.3 x 10-5 |
| P | 607 | 3.7 x 10-3 |
| Mo | 619 | 9.5 x 10-4 |
| Sm | 662 | 2.3 x 10-3 |
| Ti | 760 | 1.8 x 10-3 |
| Zr | 795 | 4.7 x 10-3 |
| Si | 799 | 1.5 x 10-3 |
| Ce | 795 | 1.3 x 10-2() |
影響儀器檢測(cè)能力的因素
真空的測(cè)量（一）
1、Pirani Gauges熱偶規(guī)
通過(guò)監(jiān)測(cè)熱絲溫度的變化間接測(cè)定真空壓力。適用于 1x10-2~1x103 pa的中等真空范圍。在7500中用于IF/BK的真空測(cè)定
真空的測(cè)量（二）
2、Penning Gauges冷陰極規(guī)
由圓筒形不銹鋼陰極及位于圓筒軸心的環(huán)狀或針狀陽(yáng)極構(gòu)成。利用低壓氣體分子的電離電流與壓力有關(guān)的特性，通過(guò)檢測(cè)放電電流大小來(lái)測(cè)定真空壓力。多用于10-8~10-2 Pa 的高真空測(cè)定。在7500中用于Analyzer 的真空壓力測(cè)定
環(huán)境污染與實(shí)驗(yàn)室工作條件
實(shí)驗(yàn)步驟的優(yōu)化設(shè)計(jì)
試劑污染因素
購(gòu)買(mǎi)適合測(cè)定要求的高純?cè)噭?/span>
分子離子的干擾因素
優(yōu)化樣品引入系統(tǒng), 干擾校正方法, 屏蔽炬, 冷等離子體技術(shù), 碰撞池或反應(yīng)池
記憶效應(yīng)
優(yōu)化樣品引入系統(tǒng), 加長(zhǎng)沖洗時(shí)間, 操作人員的素質(zhì)
接口效應(yīng)，基體效應(yīng)
選擇信號(hào)強(qiáng)度隨著基體元素的基體效應(yīng)、接口效應(yīng)而與待測(cè)元素信號(hào)強(qiáng)度同時(shí)增強(qiáng)或降低的內(nèi)標(biāo)進(jìn)行校正
隨機(jī)背景
四極桿、離子透鏡、真空系統(tǒng)等的優(yōu)化組合設(shè)計(jì)
采購(gòu)中心
