TeraSense系列的太赫茲源（IMPATT二極管）又名硅雙漂移二極管，具有0.6μm傳輸區(qū)域，安裝在銅散熱片上。雙漂移二極管中的各層是：重摻雜（p+）-區(qū)域、中等摻雜（p+）-區(qū)域、中度摻雜n-區(qū)域和重摻雜（n+）-區(qū)域。（p+）和（n+）-區(qū)域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生和維持振蕩。優(yōu)化頻率為100GHz時，該太赫茲源的典型輸出射頻功率（rfpower)可達100mW......

300GHz太赫茲源-太赫茲固態(tài)源-太赫茲發(fā)生器-THz Source 產品描述：

300GHz太赫茲源-太赫茲固態(tài)源-太赫茲發(fā)生器-THz Source 美國TERASENSE公司研發(fā)太赫茲、亞太赫茲成像系統(tǒng)及器件，利用新的技術生產半導體材料的室溫工作太赫茲波探測器，高功率太赫茲發(fā)生器。TeraSense太赫茲源（IMPATT二極管）是一類非常高效的微波和亞太赫茲波產生器件。其工作頻率范圍約為3-400GHz， 最主要的優(yōu)點是它們具有很高的輸出功率和緊湊小巧的外形封裝。IMPATT二極管具有非常窄的工作頻率帶寬，所以二極管內部尺寸必須根據(jù)相應的頻率來設計。此外，與其他類型的微波負阻二極管相比，基于IMPATT的發(fā)生器有可能實現(xiàn)更高的輸出功率水平。IMPATT發(fā)生器也被證明是、經濟效益高的高頻和大功率電源之一，使用壽命長，運行穩(wěn)定可靠。Terasense現(xiàn)在提供新一代的太赫茲源。升級后的IMPATT二極管配備了一個保護隔離器，顯著提高了輸出功率的穩(wěn)定性。并且現(xiàn)在有圓形輸出端口和喇叭形輸出端口兩種選項客供客戶選擇，可以靈活的與線型和面陣型的太赫茲相機匹配。

TeraSense系列的太赫茲源（IMPATT二極管）又名硅雙漂移二極管，具有0.6μm傳輸區(qū)域，安裝在銅散熱片上。雙漂移二極管中的各層是：重摻雜（p+）-區(qū)域、中等摻雜（p+）-區(qū)域、中度摻雜n-區(qū)域和重摻雜（n+）-區(qū)域。（p+）和（n+）-區(qū)域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生和維持振蕩。優(yōu)化頻率為100GHz時，該太赫茲源的典型輸出射頻功率（rfpower)可達100mW。這使得它們可以與倍增器一起使用，以達到遠太赫茲光譜范圍內的頻率。

技術參數(shù)：

型號：IMPATT-180/10-H/F

• 工作頻率：~180GHz
• 輸出功率：~10mW
• 輸出類型：錐形喇叭天線（剛性固定）或WR-4.3 flange
• TTL調制（上升/下降時間 1us）

型號：IMPATT-200M/50-H/F

• 工作頻率：~200GHz
• 輸出功率：~50mW
• 輸出類型：WR-4 flange
• 倍頻器（x2）
• TTL調制（上升/下降時間1us）

型號：IMPATT-280M/25-WR3.4-F/H

• 工作頻率：~280GHz
• 輸出功率：~25mW
• 輸出類型：WR-3.4 flange
• 倍頻器（x2）
• TTL調制（上升/下降時間1us）

應用圖片：