四探針電阻率測試儀四探針電阻率測試儀

標(biāo)準(zhǔn)要求：

該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高精確度，特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

技術(shù)參數(shù)及功能介紹

1.雙電測四探針法測試薄層樣品方阻計算和測試原理如下：

直線四探針測試布局如圖8，相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據(jù)物理基礎(chǔ)和電學(xué)原理：

當(dāng)電流通過1、4探針，2、3探針測試電壓時計算如下：

四探針測試結(jié)構(gòu)

當(dāng)電流通過1、2探針，4、3探針測試電壓時計算如下：從以上計算公式可以看出：方阻RS只取決于R1和R2，與探針間距無關(guān)．針距相等與否對RS的結(jié)果無任何影響，本公司所生產(chǎn)之探針頭全部采用等距，偏差微小，對測試結(jié)果更加精準(zhǔn)。