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美國(guó)吉時(shí)利2651A型 高功率數(shù)字源表

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱北京中兆國(guó)儀科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/3/17 9:29:09
  • 訪問(wèn)次數(shù)288
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北京中兆國(guó)儀科技有限公司是專業(yè)提供實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和儀器儀表的公司,是集設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、銷售與服務(wù)為一體的現(xiàn)代企業(yè)。中兆國(guó)儀儀器為廣大企業(yè)、高等院校、科研機(jī)構(gòu)、環(huán)保單位、電子電力單位等提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。中兆國(guó)儀儀器堅(jiān)持以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向,以客戶需求為己任。一直致力于用更好的服務(wù)來(lái)發(fā)展客戶,通過(guò)與眾多的國(guó)內(nèi)品牌廠商的緊密合作,建立了*的供應(yīng)鏈體系。中兆國(guó)儀產(chǎn)品:北京中兆國(guó)儀科技有限公司產(chǎn)品涵蓋儀器儀表、實(shí)驗(yàn)室儀器、水質(zhì)分析儀器、農(nóng)業(yè)儀器、環(huán)境檢測(cè)、無(wú)損檢測(cè)、光學(xué)儀器、氣體檢測(cè)儀器、分析儀器、化學(xué)儀器、物理儀器、基礎(chǔ)儀表、教學(xué)儀器等,總計(jì)數(shù)千種產(chǎn)品型號(hào)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高等院校、科研單位、石油化工、環(huán)境監(jiān)測(cè)、電子電力、機(jī)械制造、生物制藥、鑄造冶煉、模具制造、信息通訊、食品釀酒、紡織服裝、工程建筑等各個(gè)行業(yè)。
美國(guó)吉時(shí)利2651A型 高功率數(shù)字源表主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析,應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā),可靠性測(cè)試,生產(chǎn)測(cè)試,針對(duì)的高功率器件主要有高亮度LED,功率半導(dǎo)體器件(主要是功率MOSFET和BJT雙極晶體管),DC-DC變換器,電池以及其他高功率電子材料,組件等。
美國(guó)吉時(shí)利2651A型 高功率數(shù)字源表 產(chǎn)品信息

美國(guó)吉時(shí)利2651A型 高功率數(shù)字源表簡(jiǎn)介:

2651A大電流源表單元是Keithley的2600系列源表單元的成員,它們主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析,應(yīng)用領(lǐng)域包括高功率器件的研發(fā),可靠性測(cè)試,生產(chǎn)測(cè)試,針對(duì)的高功率器件主要有高亮度LED,功率半導(dǎo)體器件(主要是功率MOSFET和BJT雙極晶體管),DC-DC變換器,電池以及其他高功率電子材料,組件等。

美國(guó)吉時(shí)利2651A型 高功率數(shù)字源表特點(diǎn):

  • 源(Source)或阱(Sink)的能力:
    —2000W的脈沖功率(±40V,±50A)
    —200W的DC功率(±10V@±20A,±20V@±10A,±40V@±5A)
  • 2臺(tái)并聯(lián)使用,可以產(chǎn)生±40A的直流或±100A的脈沖電流(zui小脈寬100μs),2臺(tái)串聯(lián)使用,可以產(chǎn)生±80V的電壓;
  • 測(cè)試功率MOSFET器件的導(dǎo)通阻抗RDSON的指標(biāo)優(yōu)于100μΩ;
  • 可以輸出高的脈沖電流,以減少器件的自熱效應(yīng);
  • 1pA的分辨率可以進(jìn)行精密的非常低的漏電流測(cè)試;
  • 1μs每點(diǎn),18bit的采樣,可以對(duì)瞬態(tài)現(xiàn)象進(jìn)行精確的特性分析;
  • 1%-99%的脈沖占空比;
  • 包括TSP Express特性測(cè)試軟件,Labview驅(qū)動(dòng);
  • Keithley ACS測(cè)試軟件支持;

應(yīng)用:

  • 功率半導(dǎo)體,HBLED以及光器件的特性分析和測(cè)試;
  • 功率MOSFET器件的導(dǎo)通阻抗測(cè)試(RDSON);
  • GaN,SiC和其他化合物材料和器件的特性分析;
  • 高電流,高功率的器件測(cè)試;
  • 半導(dǎo)體結(jié)溫特性;
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