產(chǎn)品簡介
基本技術(shù)參數(shù)
1、半導體冷阱：
（1）容積≈0.7dm3(用工業(yè)酒精）
?。?）額定溫度：-60℃
（3）額定工作電流：30A
（4）冷卻水、水壓：0.1-0.2MPa 冷卻水溫度≤25℃
2、溫度調(diào)節(jié)范圍：-60℃-室溫
3、試樣冷卻時間：180±0.5秒
4、提出夾持器并于0.5秒內(nèi)沖擊試樣
5、沖擊位置：
?。?）沖擊器與試樣之間距離為25±1毫米
?。?）從沖擊位置到試樣夾持器下端的距離為11±0.5毫米
（3）沖擊行程為40±1毫米
6、氣源泉壓力：0.41MPa
7、電源電壓交流：380V±10% 50Hz 功率：0.8KVA
8、外形尺寸：1100×600×1100mm
9、重量：（毛重）280kg
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移動站：脆性溫度實驗臺
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