四探針電阻率測試儀

標準電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標準電，精度0.05 級

分辨率：  最小1μΩ

測量條件和步驟整個測試過程應在無光照，無離頻和無振動下進行。

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法

電位差計和電流計或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結果。

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

于10*0.電子測量裝置適用性應符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，最小刻度為0.1 ℃。

電導率：5×10-6～1×108ms/cm

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要

電阻：1×10-5～2×105Ω

試劑優(yōu)級純，純水，25 ℃時電阻率大于 2 MN·cm。

標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點電流源注人條件會影響測試精度。

四探針電阻率測試儀

電流換向開關范圍本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合 GB/T 552中的規(guī)定。

雙刀雙撐電位選擇開關。

電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調，由交流電源供電。

在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質、水文地質勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。

主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm

下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標準。 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法

電源：220±10% 50HZ/60HZ

光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影響測試結果，

測量誤差±5%

恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關的修正因子，計算出薄層電阻。

國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質、土壤學、水質、電子顯示器件、有色金屬。

電阻測量范圍：

樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺上應具有旋轉 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，

顯示方式：液晶顯示

本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據(jù)測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求

甲醇，99.5%。 干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時間應足夠長，達到熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

測量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。

化學實驗室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測試條件可直接測試，否則，按下列步驟清洗試樣后測試∶試樣在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。 放入*中清洗1 min。 用純水洗凈。 用甲醇源洗干凈， 用氮氣吹干。

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法