1．探測(cè)器 SDD硅漂移探測(cè)器（電制冷，只需要通電即可） 典型分辨率：123ev,133ev(50000CPS) 輸入計(jì)數(shù)率：1000KCPS，遠(yuǎn)大于Si-Pin與Si-Li(是其10倍左右) 峰背比：>25000 窗口厚度（可選）：1μm Dura 碳窗和12.5μm Dura鈹窗（一般的探測(cè)器在25μm,對(duì)輕元素有更好的透過(guò)率，的Dura技術(shù)）  碳窗、鈹窗（可以耐酸、堿的腐蝕） 處理器：數(shù)字電路，放大倍數(shù)，時(shí)間常數(shù)可任意設(shè)置 高壽命，借助于其的Dura碳技術(shù)，探測(cè)器在幾年的時(shí)間內(nèi)探測(cè)器的真空不會(huì)變壞，晶體不會(huì)損傷，無(wú)需擔(dān)心后期的維護(hù)費(fèi)用 2.X射線管 高壓：6Kv-50Kv連續(xù)可調(diào) 電流：0-1000μA連續(xù)可調(diào) （0-2500μA可選，大電流對(duì)Na-K有更好的激發(fā)效果） 功率：50W 穩(wěn)定性：8小時(shí)0.2% 正確操作的情況下壽命可以達(dá)到50000小時(shí) 3、高壓發(fā)生器 輸入電壓：DC24V 輸入電流：4A 輸出電壓：40Kv，1mA(2.5mA可選，適配2500mA光管) 功率：50W 穩(wěn)定性：8小時(shí)0.05% 4、精密結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 垂直倒角設(shè)計(jì)，精密的控制保證優(yōu)異的重復(fù)性，上照式設(shè)計(jì)可以避免灰塵的污染，使得儀器可以做到真正的免維護(hù) 5、冷卻散熱系統(tǒng) 良好的多級(jí)溫控自反饋電路，室溫在5-25℃，儀器結(jié)果不會(huì)有影響。 6、自動(dòng)進(jìn)樣系統(tǒng) 單樣品自動(dòng)進(jìn)樣 7、 光譜分析系統(tǒng)控制和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng) 12位模/數(shù)轉(zhuǎn)換器 19吋顯示器 500G以上硬盤驅(qū)動(dòng) 多功能標(biāo)準(zhǔn)鍵盤 打印機(jī) 8、分析軟件 元素測(cè)量范圍：Na-U 可以測(cè)量鍍層厚度 標(biāo)準(zhǔn)曲線法，理論系數(shù)法，基本參數(shù)法，多元比例法 使您輕松應(yīng)對(duì)各種樣品的分析 開放式軟件設(shè)計(jì)，您可以自己開發(fā)新的工作曲線 內(nèi)置式參數(shù)設(shè)計(jì)，您在自己制作工作曲線時(shí)，各種干擾自動(dòng)扣除 9、尺寸規(guī)格 長(zhǎng)544mm*寬572mm(含推手）*高1152mm 重量約110kg