1. 定制化LED光源，激發(fā)“專屬”光化學反應

PCX-50C Discover泊菲萊多通道光化學反應系統(tǒng)-工藝篩選采用9位LED光源，輸出波長覆蓋紫外到紅外光區(qū)，光源波長可定制，滿足不同光化學合成反應的需求。

LED光源光功率在100~450 mW/cm²范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，可適用于低光功率下反應較慢的光化學合成實驗。

LED光源可選波長：

①紫外光區(qū)——可用于底物引發(fā)的自由基鏈式反應

λ=255、275 nm

②可見光區(qū)——實現(xiàn)可見光激發(fā)催化劑引發(fā)自由基反應同時減少底物激發(fā)引起的副反應，提高反應的選擇性

λ=365、385、405、410、420、435、445、450、460、475、485、505、520、525、535、550、575、590、595、620、625、630、655、685、700、730、760、770 nm

③Vlight燈盤——模擬太陽光照下的反應適用性

780≥λ≥380 nm

針對光催化劑常見的藍光、綠光吸收區(qū)域有450 nm、460 nm、475 nm、485 nm、505 nm 、520 nm、525 nm、535 nm、550 nm、575 nm十個吸收波長可供選擇，可任意組合、精準調(diào)控獲取目標光波長。

各發(fā)光體配備有光學透鏡，并逐一篩選鎖定焦點平面，保證光源輸出的一致性與利用率。

2. 水冷精準控溫，反應速率張弛有度

PCX-50C Discover多通道光催化反應系統(tǒng)采用一體式冷凝水快插接口，可與低溫恒溫槽搭配使用，通過控制反應溫度來調(diào)節(jié)反應速率。

針對室溫下速率較慢的光化學合成反應，可提高反應溫度至80℃。

針對自由基活性高、副反應多的反應，-10℃低溫的精準控制，可以降低自由基活性，減少副反應發(fā)生，提高主產(chǎn)物產(chǎn)率，尤其是溫度敏感的不對稱催化反應，低溫光合成反應可以有效減少產(chǎn)物的手性反轉(zhuǎn)，提高產(chǎn)物手性選擇性。

PCX-50C Discover多通道光催化反應系統(tǒng)具有冷凝水收集裝置，有效避免冷凝水對反應裝置的影響。

3. 反應瓶配置靈活，反應條件輕松自如

PCX-50C Discover多通道光催化反應系統(tǒng)可搭配1、1.5、5、10、50 mL體積反應瓶，滿足不同規(guī)格的光化學合成反應需求。

PCX-50C Discover多通道光催化反應系統(tǒng)反應瓶采用底照式輻照模式，光路從反應瓶底部垂直照射至整個反應體系，可有效避免因側(cè)曲面入射造成的光通量不一致。亦可選鍍反光膜高效瓶將散射光、折射光反射回反應瓶中，提升光利用效率從而提高反應速率，縮短反應時長。

如需密閉反應體系，可選擇高密封性能瓶蓋和PLS-MAC1005多路氣氛控制器聯(lián)用，在氣氛控制條件下實現(xiàn)反應過程中加料、取樣的操作，適用無氧反應和有氣體參與的反應，反應瓶內(nèi)反應體系可承受正壓和負壓。

可通過使用不同類型反應瓶蓋實現(xiàn)真空、惰氣保護、流動性氣氛等不同環(huán)境下的光化學反應，可以實現(xiàn)氣體樣、液體樣的檢測。

4. 系統(tǒng)平行穩(wěn)定可靠，助力實驗進度提升

PCX-50C Discover泊菲萊多通道光化學反應系統(tǒng)-工藝篩選含有9個平行反應位，采用微電腦芯片-機械聯(lián)動控制模式，保證光源、攪拌速率和溫度等調(diào)節(jié)實驗反應條件參數(shù)的一致性和精準性，確保實驗數(shù)據(jù)精準，并在可重復的同時大幅提高實驗效率。

PCX-50C Discover多通道光催化反應系統(tǒng)輻照單元采用循環(huán)運動模式，可有效避免因各發(fā)光體輸出光不一致而造成的反應體系受光不均勻。

5. 擴展豐富，解放雙手

搭配PLA-MAC1005多路氣氛控制器可實現(xiàn)無氧反應以及二氧化碳、氧氣等有氣體作為反應原料的反應，PLA-MAC1005多路氣氛控制器可精準調(diào)控反應氣體分壓，調(diào)節(jié)反應體系內(nèi)部壓力，用于反應動力學研究以及改變氣體分壓等實驗。

與GPA1000自動取樣器搭配后組成MCP-WS1000光化學工作站，搭配色譜分析儀可以實現(xiàn)反應體系中氣體、液體的全自動取樣和進樣，在監(jiān)測光合成反應過程中實時獲取反應底物和產(chǎn)物濃度信息，實現(xiàn)實時調(diào)整和優(yōu)化反應條件，準確判斷反應時長，解放人力。

附：常見光催化劑吸收波長與激發(fā)態(tài)氧化還原半電位