主要技術(shù)指標(biāo)：

特點(diǎn)：

控制單元采用16位微處理芯片，使計(jì)算機(jī)速度更快實(shí)時(shí)性好。實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化溫度控制調(diào)節(jié)，可任意設(shè)定起始溫度，可選擇不同的線性升溫速度。通過(guò)數(shù)字濾波技術(shù)增強(qiáng)了抗干擾性?？梢宰詣?dòng)記錄初熔、終熔溫度。

主要技術(shù)參數(shù)：

熔點(diǎn)測(cè)量范圍：室溫至320°C

最小讀數(shù)值：0.1°C

測(cè)量重復(fù)性：<200°C時(shí)：±1°C

200°C-300°C時(shí)： ±2°C

線性升溫速度：1, 2, 2.5, 2.8, 3(°C/min)

顯微鏡：4倍物鏡，10倍物鏡

儀器重量：4kg

儀器尺寸：215×170×410(mm)

加攝像模塊測(cè)試效果圖：