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大功率IGBT測試設備

參考價 60000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號HUSTEC-1600A-MT
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2020/10/20 17:09:28
  • 訪問次數(shù)737
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產,公司產品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠流長;華科智源公司 核心團隊由華中科技大學等國內高校研究所、行業(yè)應用專家等技術人才組建,致力于中國功率半導體事業(yè),積極響應國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導體測試設備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測試方案供應商,2025中國制造 • 芯片設計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng),SMT智能首件檢測儀,首樣檢測,首板確認
產地 國產 產品新舊 全新
產品簡介 Introducion

大功率IGBT測試設備HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測試儀,可用于IGBT單管及模塊,SIC器件,MOS管,二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試。
大功率IGBT測試設備 產品信息

HUSTEC-1600A-MT

大功率IGBT測試設備

Power Device Static Parameter Tester

 

大功率IGBT測試設備產品簡介  Introducion

  HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測試儀,可用于IGBT單管及模塊,SIC器件,MOS管,二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試。


產品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容,可升級到3KA/10KV.

VGE可達±100V;開啟電壓VGETH支持兩種測試方法;

采用插槽式設計結構,便于升級和維護;

設備支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT單管及模塊,二極管測試,晶閘管測試,

自動進行分檔測試,既覆蓋大功率特征下的測試范圍,又可保證小功率器件測試精度

支持單點測試,I-V曲線掃描,還具有曲線對比功能;同一規(guī)格型號,不同批次的產品曲線對比,同一規(guī)格,不同廠家之家的產品曲線對比

開放通訊接口,可以連接探針臺做wafer / chip 測試,也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測試,

測試數(shù)據可存儲為Excel文件,WORD報告

技術指標 Technical Specifications

技術指標

3.4

VGE(th)柵極閾值電壓

VGE:0.1~10V±1%±0.01V;

 

3.5

VGE(th)

測試條件與精度

集電極電流Ic:

10~50mA±1%±0.5mA;

50~200mA±1%±1mA;

200~1000mA±1%±2mA;

3.6

VCES集射極截止電壓

VCES:0-5000V±1%±2V;

 

3.7

VCES

測試條件與精度

集電極電流ICES:

0.01~1mA±3%±0.001mA;

1~10mA±2%±0.01mA;

10~50mA±1%±0.1mA;

3.8

ICES集射極截止電流

集電極電流ICES:0.01~50mA

0.001~1mA±3%±0.001mA;

1~10mA±2%±0.01mA;

10~50mA±1%±0.1mA;

 

3.9

ICES

測試條件與精度

集電極電壓VCES:50~500V±1%±1V;

500~5000V±1%±2V;

3.10

VCE(sat)飽和導通壓降

集電極電壓VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V

 

3.11

VCE(sat)

測試條件與精度

 

柵極電壓Vge:5~40V±1%±0.01V

集電極電流ICE:0-1600A

0~100A±1%±1A;

100~1600A±1%±1A;

3.12

Iges柵極漏電流

柵極漏電流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA

 

3.13

Iges測試條件與精度

柵極電壓Vge:±1V~100V±1%±0.1V;Vce=0V;

3.14

VF正向特性測試

二極管導通電壓Vf:0.1~10V±1%±0.01V

 

3.15

VF正向特性測試

測試條件與精度

電流IF:0~100A±2%±1A;

100~1600A±1%±2A;

 

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