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數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀

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公司名稱北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司
品牌
型號(hào)ZD-LT-100C
所在地北京市
廠商性質(zhì)其他
更新時(shí)間2019/11/26 22:47:27
訪問次數(shù)394

產(chǎn)品標(biāo)簽:

硅晶體少子壽命測試儀測試儀數(shù)字式硅晶體硅晶體硅晶體少子壽命測試儀

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專業(yè)致力于氣體檢測儀器，食品安全檢測、農(nóng)業(yè)檢測、水質(zhì)與空氣質(zhì)量安全監(jiān)測設(shè)備、無損檢測儀器、實(shí)驗(yàn)室分析儀器以及相關(guān)試劑、銷售和服務(wù)，客戶分布于石油、建筑、環(huán)保、食品、工商、農(nóng)業(yè)、教育、工業(yè)、等各大領(lǐng)域

產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀型號(hào)：ZD-LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀產(chǎn)品信息

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號(hào)：ZD-LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。
      數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測試的考驗(yàn)，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對(duì)硅片進(jìn)行測量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

DZ-LT-100C有以下特點(diǎn)：
1、可測量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測量。同時(shí)可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。
2、  可測量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級(jí)硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍     0.25μS—10ms

產(chǎn)品名稱：數(shù)顯陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)儀
產(chǎn)品型號(hào)： SGW

數(shù)顯陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)儀型號(hào)： SGW
本儀器適合GB6569-2006《精細(xì)陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法》，GB1965《多孔陶瓷抗彎強(qiáng)度試驗(yàn)方法》，適用于作機(jī)械部件、結(jié)構(gòu)材料等高強(qiáng)度工程陶瓷在室溫下三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度的測定，也適用于玻璃、耐火材料、保溫材料等非金屬材料的彎曲強(qiáng)度(即抗折強(qiáng)度）測試.
主要技術(shù)參數(shù)：
1、zui大載荷：10000、20000、50000（N）；
2、加荷速度：5～700（N/S）可調(diào)；
3、數(shù)據(jù)微電腦處理，精度0.5%；
4、三相380V，1.5KW;