一、產(chǎn)品概述
采用MEMS（Micro Electro-Mechanical System）技術(shù)和集成電路工藝，在單晶硅片的特定晶向上制成應(yīng)變電阻構(gòu)成的惠斯通檢測電橋，并利用硅的彈性力學(xué)特性，制作出集應(yīng)力敏感與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的硅壓阻力敏元件。本系列產(chǎn)品以硅壓阻力敏元件為核心元件，并采用了無應(yīng)力封裝及精密溫度補(bǔ)償技術(shù)，使得傳感器具有很高的穩(wěn)定性和可靠性，具有優(yōu)良的線性特性、重復(fù)性及遲滯性能，是當(dāng)代應(yīng)用的壓力傳感器。傳感器采用恒流源或恒壓源供電，當(dāng)芯體接受被測壓力信號，擴(kuò)散硅芯片就會發(fā)生形變。刻蝕在擴(kuò)散硅芯片上的惠斯通電橋也隨之發(fā)生變化，導(dǎo)致惠斯通電橋失去平衡，從而產(chǎn)生一個(gè)線性關(guān)系的電壓輸出信號。

二、工作原理

以硅壓阻力敏元件為核心元件，并采用了無應(yīng)力封裝及精密溫度補(bǔ)償技術(shù)，使得傳感器具有很高的穩(wěn)定性和可靠性，具有優(yōu)良的線性特性、重復(fù)性及遲滯性能，是當(dāng)代應(yīng)用的壓力傳感器

三、產(chǎn)品特點(diǎn)
*靈敏度及準(zhǔn)確度高、可靠性穩(wěn)定
*頻響高，溫度性能好
*抗電擊穿性能與耐腐蝕性好