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制藥網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>通用機(jī)械及設(shè)備>其它通用設(shè)備>其它制藥機(jī)械及設(shè)備>33027-50-5-1- 聲光Q開(kāi)關(guān)(Q頭)

  • 聲光Q開(kāi)關(guān)(Q頭)
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品牌

廠商性質(zhì)

生產(chǎn)廠家

型號(hào)

33027-50-5-1-

訪問(wèn)次數(shù)

5230

產(chǎn)地

浙江杭州市

更新時(shí)間

2017/6/30 14:13:38

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中國(guó)e網(wǎng)激光超市提供的聲光Q開(kāi)關(guān)(Q頭)是一種廣泛使用的Q開(kāi)關(guān)方式,其主要優(yōu)點(diǎn)是重復(fù)頻率高,性能穩(wěn)定可靠。聲光Q開(kāi)關(guān)是利用聲光相互作用以控制光腔損耗的Q開(kāi)關(guān)技術(shù)。

聲光Q開(kāi)關(guān)(Q頭)詳細(xì)信息

中國(guó)e網(wǎng)激光超市提供的聲光Q開(kāi)關(guān)(Q頭)是一種廣泛使用的Q開(kāi)關(guān)方式,其主要優(yōu)點(diǎn)是重復(fù)頻率高,性能穩(wěn)定可靠。聲光Q開(kāi)關(guān)是利用聲光相互作用以控制光腔損耗的Q開(kāi)關(guān)技術(shù)。

       壓電換能器與聲光材料如熔石英、鉬酸鉛(PbMO4)晶體等構(gòu)成聲光器件。壓電換能器加電后,將超聲波饋入聲光材料,聲波是疏密波,聲光材料的折射率發(fā)生周期變化,對(duì)相對(duì)聲波方向以某一角度傳播的光波來(lái)說(shuō),相當(dāng)于一個(gè)相位光柵。于是,在超聲場(chǎng)中光波發(fā)生衍射,改變傳播方向。這就是所謂的聲光行射效應(yīng)。
       將聲光器件置于光腔內(nèi)構(gòu)成聲光Q開(kāi)關(guān)激光器。在zui初施加聲場(chǎng)時(shí),腔內(nèi)光束將偏折出光腔,相當(dāng)Q開(kāi)關(guān)關(guān)閉,光腔損耗呈低Q狀態(tài),不能形成振蕩。當(dāng)反轉(zhuǎn)粒子數(shù)積累到zui大值時(shí),突然撤去聲場(chǎng),光束不發(fā)生偏折順利通過(guò)聲光介質(zhì),相當(dāng)于Q開(kāi)關(guān)打開(kāi),光腔呈低損耗高Q狀態(tài)。形成激光巨脈沖輸出,如果用一定頻率的脈沖調(diào)制器調(diào)制射頻發(fā)生器,使聲光介質(zhì)中有相同重復(fù)頻率的射頻超聲場(chǎng)時(shí),就能獲得重復(fù)頻率工作的聲光Q開(kāi)關(guān),激光器將以重復(fù)頻率狀態(tài)輸出激光巨脈沖 。
美國(guó)NEOS生產(chǎn)的Q開(kāi)關(guān)
水冷Q開(kāi)關(guān)

激光波長(zhǎng)(nm)
型號(hào)
射頻功率
(W)
調(diào)制損耗
(%)
通光口徑
(mm)
射頻
頻率
 (MHz)
上升
時(shí)間
(ns/mm)
鍍膜閾值
(W/cm2)
平均/峰值
晶體材料
10.6um
37027-3
30
85
3
27.12
120
500
鍺
10.6um
37027-5
30
75
5
27.12
120
500
鍺
1064
32024-50-4
50
55
4x13
24
175
50K/500M
熔融硅
1064
32027-50-4
50
55
4x13
27.12
175
50K/500M
熔融硅
1064
33024-50-5-I-HGM-W
50
70
5x10
24
115
50K/500M
石英晶體
1064
33024-50-5-I-HGM-CMS
50
70
5x10
24
115
50K/500M
石英晶體
1064
33027-50-5-I-HGM-W
50
線(xiàn)偏光85
非偏光70
5x10
27.12
115
50W/500M
石英晶體
1064
33027-50-5-I-HGM
50
70
5x10
27.12
115
50W/500M
石英晶體
1064
33027-50-5-I-HGM-CMS
50
70
5x10
27.12
115
50W/500M
石英晶體
1064
33027-50-5-I-M3
50
線(xiàn)偏光85
非偏光70
5x10
27.12
115
 
石英晶體
1064
32024-70-7
70
55
7x13
24
175
50K500M
熔融硅
1064
32027-70-7
70
55
7x13
27.12
175
50K/500M
熔融硅
1064
33024-70-7-I-HGM-W
70
85
7x10
24
115
50K/500M
石英晶體
1064
33024-70-7-I-HGM-CMS
70
85
7x10
24
115
50K/500M
石英晶體
1064
33027-70-7-I-HGM-W
70
85
7x10
27.12
115
50K/500M
石英晶體
1064
33027-70-7-I-HGM-CMS
70
85
7x10
27.12
115
50K/500M
石英晶體
1064
32024-100-4-HGM-W
100
90
4x13
24
175
50K/500M
熔融硅
1064
32027-100-4-HGM-W
100
90
4x13
27.12
175
50K/500M
熔融硅
1064
32027-100-4-HGM-CMS
100
90
4x13
27.12
175
50K/500M
熔融硅

備注:調(diào)制損耗是1064nm、非偏光和zui大射頻功率時(shí)的調(diào)制損耗。

用戶(hù)評(píng)論

發(fā)布評(píng)論
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