靈敏度高
集成溫度補(bǔ)償,漂移小
體積小,響應(yīng)速度快
可以測(cè)量微小的氣體容量
高性價(jià)比
TO8封裝,抗沖擊能力強(qiáng)
| | zui小 | 典型 | zui大 | 單位 |
| 熱功率P(Rm1+Rm2): | — | — | 30 | mW |
| 測(cè)量溫度Tm | — | — | 180 | °C |
| 環(huán)境溫度 | -20 | — | +85 | °C |
| 氣體壓力(1) | — | — | 200 | bar |
| | zui小 | 典型 | zui大 | 單位 |
| 電阻,Rm1,Rm2(Tm=25°C) | 92 | 100 | 115 | ? |
| 電阻,Rt1,Rt2 | 220 | 240 | 275 | ? |
| 商,Rtx / ( Rm1+Rm2 ),x∈{1,2} | 1.13 | 1.2 | 1.27 | 1 |
| 阻抗差,Rm1 - Rm2 | -2.0 | — | +2.0 | ? |
| α=溫度系數(shù),( Rm, Rt ) | 20 - 100°C | 4.8(2) | 5.5 | 5.9 | 10-3·K-1 |
| G =幾何系數(shù)(3) | — | 3.6 | — | mm |
| τm =膜的熱時(shí)間常數(shù) | — | <5 | — | ms |
| τdiffusion =氣體交換的時(shí)間常數(shù) | — | <100 | — | ms |
| 漂移( Rxy ) | x∈{m,t} ; y∈{1,2} | — | 0.001 | 0.01 | %/week |
| 散射結(jié)構(gòu)的體積 | — | 0.2 | — | mm3 |
| 保持干凈的周圍環(huán)境空間大小 | — | 100 | — | mm3 |
| 基礎(chǔ)材料 | 硅,采用蝕刻技術(shù)獲得微觀結(jié)構(gòu) | |||
| 尺寸結(jié)構(gòu): 包括底座 不包括底座 | 3mm × 3mm × 1mm | |||
| 13mm Ø × 15.4mm | ||||
| 暴露在空氣中的材料 | Si, SiOxNy, 金, 環(huán)氧材料 | |||


















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