PT124G-3500 MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器

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產(chǎn)地 上海市: 更新時(shí)間
2024/11/5 19:37:58

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上海朝輝壓力儀器有限公司

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MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器產(chǎn)品參數(shù)

分類(lèi)	壓力傳感器	外形結(jié)構(gòu)	其他
產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
繞組形式	其他

PT124G-3500-55/55D系列MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測(cè)壓膜盒和信號(hào)處理模塊，是基于被測(cè)壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過(guò)集成電路監(jiān)測(cè)該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。

MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器詳細(xì)信息

PT124G-3500-55/55D系列MEMS技術(shù)單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測(cè)壓膜盒和信號(hào)處理模塊，是基于被測(cè)壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過(guò)集成電路監(jiān)測(cè)該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量信號(hào)。
傳感器具有超高過(guò)壓性能及良好的溫度補(bǔ)償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應(yīng)性，可廣泛用于各類(lèi)工控環(huán)境。

單晶硅差壓傳感器特點(diǎn)：

1.采用進(jìn)口FST單晶硅MEMS芯片進(jìn)行封裝，產(chǎn)品具有超高精度，可達(dá)0.04%FS
2.具有優(yōu)異的過(guò)壓性能
3.可用于負(fù)壓力測(cè)量
4.智能靜壓補(bǔ)償和溫度補(bǔ)償，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)

單晶硅差壓傳感器技術(shù)規(guī)格：