設(shè)置總DSC關(guān)斷時(shí)間延遲時(shí)要考慮許多因素。DSC關(guān)斷時(shí)間由損壞電池和電路的時(shí)間,A20B-0008-6300與負(fù)載啟動(dòng)或連接時(shí)允許涌入電流通過(guò)的時(shí)間相較而定。DSC關(guān)斷時(shí)間與FET的關(guān)斷時(shí)間必須平衡。FET關(guān)斷速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電芯測(cè)量引腳上產(chǎn)生較大電壓瞬變,zui接近功率FET的引腳zui容易受大電壓瞬變的影響,這些瞬態(tài)事件是功率FET與電池之間的跡線中儲(chǔ)存的電感能量,在電池組突然斷開(kāi)與負(fù)載的連接時(shí)無(wú)處發(fā)散的結(jié)果。
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該電感能量發(fā)散到開(kāi)路負(fù)載,直至電壓升高到足以激活相連電路的ESD(靜電阻抗器)二極管。如果能量足夠多,元件會(huì)承受過(guò)大的電應(yīng)力。跡線中儲(chǔ)存的能量大小是跡線的電感與流向負(fù)載的電流之積。跡線中儲(chǔ)存的能量在放電短路條件下zui多,在電芯電壓引腳處進(jìn)行濾波有助于降低EOS(電氣過(guò)應(yīng)力)事件發(fā)生概率。實(shí)踐中應(yīng)使跡線盡可能短和盡可能寬,另外還應(yīng)仔細(xì)選擇負(fù)載與功率FET之間的線纜的尺寸和長(zhǎng)度。這是可能引起高電壓瞬態(tài)事件的另一個(gè)因素。
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