該電感能量發(fā)散到開路負(fù)載，直至電壓升高到足以激活相連電路的ESD(靜電阻抗器)二極管。如果能量足夠多，元件會承受過大的電應(yīng)力。跡線中儲存的能量大小是跡線的電感與流向負(fù)載的電流之積。跡線中儲存的能量在放電短路條件下zui多，A20B-0008-0430在電芯電壓引腳處進行濾波有助于降低EOS(電氣過應(yīng)力)事件發(fā)生概率。實踐中應(yīng)使跡線盡可能短和盡可能寬，另外還應(yīng)仔細(xì)選擇負(fù)載與功率FET之間的線纜的尺寸和長度。這是可能引起高電壓瞬態(tài)事件的另一個因素。

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　　增加FET柵極與FET控制引腳之間的隔離電阻器阻值，可通過延長FET關(guān)斷時間而減小電壓瞬變的幅度。同時，這還通過涉及FET電容的RC時間常數(shù)延長了功率FET的導(dǎo)通時間。需要注意的是，兩處情況下都有隔離電阻器的存在。

　　功率FET關(guān)斷速度過慢會導(dǎo)致功率FET損壞或掉電。如圖2所示，大多數(shù)功率FET產(chǎn)品數(shù)據(jù)表都提供FET電流與VDS和持續(xù)時間之間關(guān)系的曲線圖。例如短路電流為100A的20V電池組，圖2顯示了FET在該條件下能維持運行1毫秒。

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