在集成電路工藝中,實(shí)現(xiàn)夾層電阻有很多種方法。A20B-0006-0900本文研究的夾層電阻就是其中的一種,它不需要通過額外增加光刻MASK層就能實(shí)現(xiàn)。圖1為該夾層電阻的平面示意圖。
圖1中,夾層電阻區(qū)為低濃度的P型注入?yún)^(qū),它主要利用工藝中的現(xiàn)有層次實(shí)現(xiàn),比如Pbase層或者Pbody層。該P(yáng)型夾層電阻區(qū)被N+和N阱*包圍,因此該結(jié)構(gòu)就是一個(gè)被N+和N阱兩個(gè)層次夾在中間的P型夾層電阻。
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夾層電阻的優(yōu)勢是阻值很高,缺點(diǎn)是對電壓比較敏感。對該夾層電阻進(jìn)行I-V掃描,起始電壓為0 V,步進(jìn)為0.5 V,結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下特性:當(dāng)電阻兩端電壓從0開始增加時(shí),夾層電阻的阻值迅速上升,但是到電壓超過4 V左右后,電阻阻值雖然還是繼續(xù)增加,但是此時(shí)呈現(xiàn)出線性上升的特性,即電阻跟隨電壓呈比例地上升,當(dāng)電壓到14~15 V左右時(shí),電阻開始急劇減小,呈現(xiàn)出擊穿效應(yīng)。
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