夾層電阻的優(yōu)勢是阻值很高，缺點是對電壓比較敏感。A20B-0005-0290對該夾層電阻進行I-V掃描，起始電壓為0 V,步進為0.5 V,結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下特性：當電阻兩端電壓從0開始增加時，夾層電阻的阻值迅速上升，但是到電壓超過4 V左右后，電阻阻值雖然還是繼續(xù)增加，但是此時呈現(xiàn)出線性上升的特性，即電阻跟隨電壓呈比例地上升，當電壓到14~15 V左右時，電阻開始急劇減小，呈現(xiàn)出擊穿效應。把上述電阻測試時的I-V數(shù)值進行曲線擬合。

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    因此在圖2中，拐點Vp就是該P溝道JFET管的夾斷電壓，當-Vds電壓超過Vp后，JFET管產(chǎn)生夾斷，源漏電流開始趨于穩(wěn)定。拐點Vb為該P溝道JFET管的擊穿電壓，當-Vds電壓大于Vb后，JFET管產(chǎn)生擊穿，Ids增大。

　　在前面的夾層電阻測試時，實際上是把PJFET管的柵端（Gate）和源端（Source）短接，形成了圖4所示的連接結(jié)構(gòu)。

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